cph3331 Sanyo Semiconductor Corporation, cph3331 Datasheet - Page 2

• Manufacturer Part Number: cph3331
• Description: P-channel Silicon Mosfet
• Manufacturer: Sanyo Semiconductor Corporation

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Package Dimensions
unit : mm
2152A
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
1
--0.4
--0.3
--0.2
--0.1
10
0
3
9
8
7
6
5
4
3
2
0
0
2.9
1.9
2
Parameter
0.4
--2
--0.5
Drain-to-Source Voltage, V DS -- V
--4
Gate-to-Source Voltage, V GS -- V
--6
R DS (on) -- V GS
--1.0
I D -- V DS
--8
0.15
1 : Gate
2 : Source
3 : Drain
SANYO : CPH3
--1.5
--10
--12
0.05
Symbol
V SD
Qgs
Qgd
Qg
--2.0
--14
Ta=25 C
I D = --200mA
V GS = --2.5V
--16
--2.5
V DS =--100V, V GS =--10V, I D =--400mA
V DS =--100V, V GS =--10V, I D =--400mA
V DS =--100V, V GS =--10V, I D =--400mA
I S =--400mA, V GS =0
--18
IT08710
IT08712
CPH3331
--3.0
--20
Conditions
Switching Time Test Circuit
--0.4
--0.3
--0.2
--0.1
--10V
10
P.G
0
8
6
4
2
0
--60
0V
0
PW=10 s
D.C. 1%
V DS = --10V
--40
V IN
--0.5
--20
Gate-to-Source Voltage, V GS -- V
Ambient Temperature, Ta -- C
V IN
--1.0
0
min
50
G
R DS (on) -- Ta
20
I D -- V GS
--1.5
V DD = --100V
40
Ratings
D
typ
--0.79
S
60
7.0
1.0
0.8
--2.0
I D = --200mA
R L =500
80
CPH3331
max
--2.5
V OUT
100
--1.2
No.8160-2/4
120
--3.0
Unit
nC
nC
nC
140
V
IT08711
IT08713
--3.5
160