cph6316 Sanyo Semiconductor Corporation, cph6316 Datasheet - Page 2

• Manufacturer Part Number: cph6316
• Description: P-channel Silicon Mosfet
• Manufacturer: Sanyo Semiconductor Corporation

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Switching Time Test Circuit
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
--2.0
--1.6
--1.2
--0.8
--0.4
400
350
300
250
200
150
100
--10V
50
P.G
0
0
0
0
0V
PW=10 s
D.C. 1%
I D = --0.5A
--0.1
V IN
--2
Parameter
--0.2
--4
Drain-to-Source Voltage, V DS -- V
Gate-to-Source Voltage, V GS -- V
V IN
--1.0A
--0.3
--6
50
G
R DS (on) -- V GS
--0.4
I D -- V DS
--8
V DD = --15V
--0.5
D
--10
S
I D = --1A
R L =15
--0.6
--12
CPH6316
Symbol
t d (on)
t d (off)
Coss
Ciss
Crss
V SD
Qgs
Qgd
Qg
--0.7
t r
t f
--14
V OUT
--0.8
--16
Ta=25 C
V DS =--10V, f=1MHz
V DS =--10V, f=1MHz
V DS =--10V, f=1MHz
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
V DS =--10V, V GS =--10V, I D =- -3A
V DS =--10V, V GS =--10V, I D =- -3A
V DS =--10V, V GS =--10V, I D =- -3A
I S =--3A, V GS =0
--0.9
--18
IT03223
IT03225
CPH6316
--1.0
--20
Conditions
--5.0
--4.5
--4.0
--3.5
--3.0
--2.5
--2.0
--1.5
--1.0
--0.5
400
350
300
250
200
150
100
50
0
0
--60
0
V DS =10V
--40
--0.5
--20
--1.0
Gate-to-Source Voltage, V GS -- V
Ambient Temperature, Ta -- C
0
--1.5
min
R DS (on) -- Ta
20
I D -- V GS
--2.0
40
Ratings
typ
--0.86
--2.5
60
0.98
0.82
200
7.2
2.9
8.7
5.5
47
32
21
80
--3.0
max
100
--1.2
--3.5
120
No.7026-2/4
--4.0
140
Unit
IT03224
IT03226
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
--4.5
160