cph6339 Sanyo Semiconductor Corporation, cph6339 Datasheet - Page 3

• Manufacturer Part Number: cph6339
• Description: P-channel Silicon Mosfet
• Manufacturer: Sanyo Semiconductor Corporation

100
300
250
200
150
100
--10
1.0
0.1
10
10
50
--9
--8
--7
--6
--5
--4
--3
--2
--1
--0.01
0
--0.1
0
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
7
5
3
2
7
5
3
2
0
0
V DS = --10V
V DS = --24V
I D = --3A
I D = --1.0A
1
2
--2
2
3
2
3
Gate-to-Source Voltage, V GS -- V
5 7
--4
Total Gate Charge, Qg -- nC
3
--1.5A
4
R DS (on) -- V GS
Drain Current, I D -- A
Drain Current, I D -- A
--0.1
SW Time -- I D
5
--6
V GS -- Qg
⏐
5
6
y
2
fs⏐ -- I D
7
7
--8
3
--1.0
8
5 7
9
--10
--1.0
10
2
11
--12
2
V DD = --10V
V GS = --10V
12
3
3
Ta=25°C
--14
13
IT13632
IT13634
IT13636
IT13638
5 7
5
14
CPH6339
--16
--10
15
7
--0.01
--0.01
1000
--1.0
--0.1
--1.0
--0.1
--10
100
--10
300
250
200
150
100
50
--0.01
--0.2
0
--60
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
2
7
5
3
2
7
5
3
2
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
0
Ta=25 °C
Single pulse
When mounted on ceramic substrate
(900mm
I DP = --12A
I D = --3A
--40
2 3
--5
Operation in this
area is limited by R DS (on).
--20
2
--0.4
5
✕0.8mm)
Ciss, Coss, Crss -- V DS
Drain-to-Source Voltage, V DS -- V
Drain-to-Source Voltage, V DS -- V
Diode Forward Voltage, V SD -- V
7
7
Ambient Temperature, Ta -- ° C
--10
--0.1
0
R DS (on) -- Ta
2 3
20
--15
--0.6
I S -- V SD
A S O
5
40
--20
7
--1.0
60
--0.8
2 3
--25
80
5 7
100
--30
No. A1199-3/4
--10
--1.0
120
PW ≤10μs
V GS =0V
f=1MHz
--35
2 3
140
IT13639
IT13633
IT13635
IT13637
5 7
--1.2
160
--40