cph6603 Sanyo Semiconductor Corporation, cph6603 Datasheet - Page 3
![no-image](/images/manufacturer_photos/0/5/586/sanyo_semiconductor_corporation_sml.jpg)
cph6603
Manufacturer Part Number
cph6603
Description
P-channel Silicon Mosfet
Manufacturer
Sanyo Semiconductor Corporation
Datasheet
1.CPH6603.pdf
(4 pages)
100
1.0
--10
1.0
0.1
10
1.0
0.9
0.8
0.6
0.4
0.2
--8
--6
--4
--2
--0.01
7
5
3
2
7
5
3
2
3
2
7
5
3
2
0
0
3
0
0
V DS = --10V
I D = --1.5A
0.5
5
20
2
t d (on)
7
1.0
3
--0.1
Ambient Temperature, Ta -- C
40
Total Gate Charge, Qg -- nC
5
1.5
Drain Current, I D -- A
Drain Current, I D -- A
SW Time -- I D
7
60
V GS -- Qg
--0.1
2.0
P D -- Ta
y
2
fs -- I D
2.5
80
3
2
3.0
3
5
100
7
5
3.5
--1.0
120
7
V DD = --15V
V GS = --10V
V DS = --10V
--1.0
4.0
140
4.5
IT02669
IT02672
IT04060
IT04062
2
2
160
5.0
CPH6603
3
3
--0.01
--0.01
1000
--1.0
--0.1
--1.0
--0.1
--10
--10
100
10
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
7
5
3
2
0
0
Ta=25 C
Single pulse
Mounted on a ceramic board(900mm
Operation in this area
is limited by R DS (on).
2
--0.2
--5
3
Diode Forward Voltage, V SD -- V
Ciss, Coss, Crss -- V DS
Drain-to-Source Voltage, V DS -- V
Drain-to-Source Voltage, V DS -- V
5
--0.4
--10
7
--1.0
I F -- V SD
--0.6
A S O
--15
2
--0.8
3
Ciss
5
--20
2
7
--1.0
0.8mm)1unit
--10
<10 s
--25
--1.2
f=1MHz
2
No.7146-3/4
V GS =0
IT02670
IT04061
IT02671
3
--1.4
--30
5