et125 Fuji Electric holdings CO.,Ltd, et125 Datasheet
et125
Manufacturer Part Number
et125
Description
Power Transistor
Manufacturer
Fuji Electric holdings CO.,Ltd
Datasheet
1.ET125.pdf
(3 pages)
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Price
Company:
Part Number:
et1257
Manufacturer:
Sanrex
Quantity:
1 000
Part Number:
et1257
Manufacturer:
SANREX
Quantity:
20 000
Part Number:
et1257
Quantity:
55
ET125
Ｎ Ｐ Ｎ 三 重 拡 散 プ レ ー ナ 形
Ｎ Ｐ Ｎ 三 重 拡 散 プ レ ー ナ 形
Ｎ Ｐ Ｎ 三 重 拡 散 プ レ ー ナ 形
高耐圧
高耐圧､ ､ ､ ､ ､ 大電流
高耐圧
Ｎ Ｐ Ｎ 三 重 拡 散 プ レ ー ナ 形
Ｎ Ｐ Ｎ 三 重 拡 散 プ レ ー ナ 形
高耐圧
高耐圧
コレクタ・ベース間電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
エミッタ・ベース間電圧
コレクタ電流
ベース電流
コレクタ損失
接合部温度
保存温度
Item
コレクタ・ベース間電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
エミッタ・ベース間電圧
コレクタしゃ断電流
エミッタしゃ断電流
直流電流増幅率
コレクタ・エミッタ飽和電圧
ベース・エミッタ飽和電圧
＊）
スイッチング時間
Item
ASO が広い
h h h h h
飽和電圧が低い
飽和電圧が低い
飽和電圧が低い
飽和電圧が低い
飽和電圧が低い
高信頼性
高信頼性 High reliability
高信頼性
高周波
高周波
高周波
高周波
高周波ｲﾝﾊﾞｰﾀ
一般電力増幅
一般電力増幅
一般電力増幅
一般電力増幅
一般電力増幅 General purpose power amplifiers
高信頼性
高信頼性
定 格 と 特 性
定 格 と 特 性
絶 対 最 大 定 格
絶 対 最 大 定 格
電気的特性
電気的特性
熱 抵 抗
定 格 と 特 性
定 格 と 特 性
定 格 と 特 性
絶 対 最 大 定 格
絶 対 最 大 定 格
絶 対 最 大 定 格
電気的特性
電気的特性
電気的特性
Item
ﾓｰﾀｰ
ﾓｰﾀｰ
ﾓｰﾀｰ
ﾓｰﾀｰ
ﾓｰﾀｰ制御
熱的特性
熱的特性
ｽｲｯﾁﾝｸﾞﾚｷﾞｭﾚｰﾀ
ｽｲｯﾁﾝｸﾞﾚｷﾞｭﾚｰﾀ
ｽｲｯﾁﾝｸﾞﾚｷﾞｭﾚｰﾀ Switching regulators
ｽｲｯﾁﾝｸﾞﾚｷﾞｭﾚｰﾀ
ｽｲｯﾁﾝｸﾞﾚｷﾞｭﾚｰﾀ
熱的特性
熱的特性
熱的特性 : : : : : Thermal characteristics
FE FE
FE FE
FE
用途
用途
用途
用途
用途： ： ： ： ： Applications
特長
特長： ： ： ： ： Features
特長
特長
特長
が高い
が高い
が高い
が高い
が高い High D.C. current gain
が広い
が広い
が広い
が広い
制御
制御
制御 Motor controls
制御
ｲﾝﾊﾞｰﾀ
ｲﾝﾊﾞｰﾀ
ｲﾝﾊﾞｰﾀ
ｲﾝﾊﾞｰﾀ High frequency inverters
大電流
大電流､ ､ ､ ､ ､ 高速
大電流
大電流
：
Electrical characteristics (T
Excellent safe operating area
Maximum ratings and characteristic
Absolute maximum ratings (Tc=25°C)
高速
高速
高速
高速ｽ ｲ ｯ ﾁ ﾝ ｸ ﾞ
Low saturation voltage
ｽ ｲ ｯ ﾁ ﾝ ｸ ﾞ
ｽ ｲ ｯ ﾁ ﾝ ｸ ﾞ
ｽ ｲ ｯ ﾁ ﾝ ｸ ﾞ
ｽ ｲ ｯ ﾁ ﾝ ｸ ﾞ 用 用 用 用 用
Symbol
V
V
V
V
I
I
P
T
T
B
C
R
Symbol
stg
C
j
CBO
CEO
CEO(SUS)
EBO
Symbol
V
V
V
V
I
I
h
V
V
t
t
t
CBO
EBO
on
stg
f
th(j-c)
FE
CBO
CEO
CEO(SUS)
EBO
CE(Sat)
BE(Sat)
DC
1ms
DC
1ms
c
=25°C unless otherwise specified)
Rating
-55 to +150
Junction to case
Test Conditions
I
I
I
I
V
V
I
I
I
R
CBO
CEO
C
EBO
C
C
C
Test Conditions
+150
CBO
EBO
L
= 1A
= 50A, V
= 50A, I
= 50A, I
400
300
100
300
= 2 Ω , Pw = 50 µ s
50
= 1mA
= mA
= 200mA
6
3
6
-
= 400V
= 6V
B1
B
CE
= 1A
= -I
= 5V
B2
TRIPLE DIFFUSED PLANER TYPE
HIGH VOLTAGE, HIGH CURRENT,
HIGH SPEED SWITCHING
= 1A
Unit
A
°C
A
V
V
V
V
A
A
A
C
Duty=<2%
FUJI POWER TRANSISTOR
JEDEC
EIAJ
外形寸法
外形寸法
外形寸法: : : : : Outline Drawings
外形寸法
外形寸法
Min.
Min.
300
400
150
6
TC-19 類似 , TB-30 類似
Typ.
Typ.
-
200
Max.
10.0
Max.
0.41
1.0
2.0
2.5
2.0
2.5
Units
Units
°C/W
V
V
V
V
mA
mA
V
V
µs
µs
µs
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R
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POWER TRANSISTOR MODULE
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Fuji Electric holdings CO.,Ltd
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Fuji Electric holdings CO.,Ltd
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POWER TRANSISTOR MODULE
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Fuji Electric holdings CO.,Ltd
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Fuji Electric holdings CO.,Ltd
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IGBT(1200V 8A)
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Fuji Electric holdings CO.,Ltd
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Fuji Electric holdings CO.,Ltd
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IGBT MODULE(1200V 15A)
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IGBT(600V,400A)
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IGBT MODULE ( S-Series )
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Fuji Electric holdings CO.,Ltd
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POWER DIODE MODULE
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IGBT(600V 20A)
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IGBT MODULE
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... ET125 特性曲線 : Characteristics FUJI POWER TRANSISTOR 2 ...
Page 3
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