DB25-005_07 DIOTEC [Diotec Semiconductor], DB25-005_07 Datasheet - Page 2

• Manufacturer Part Number: DB25-005_07
• Description: Three-Phase Si-Bridge-Rectifiers
• Manufacturer: DIOTEC [Diotec Semiconductor]

1
2
2
Maximum ratings
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current 50 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
Peak forward surge current 60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Characteristics
Max. current with cooling fin 300 cm²
Dauergrenzstrom mit Kühlblech 300 cm
Forward voltage – Durchlass-Spannung
Leakage current – Sperrstrom
Isolation voltage terminals to case
Isolationsspannung Anschlüsse zum Gehäuse
Thermal resistance junction to case
Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse
Admissible torque for mounting
Zulässiges Anzugsdrehmoment
[%]
100
120
I
Rated forward current versus ambient temperature )
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. )
80
60
40
20
Valid, if the temperature of the case is kept to T
Valid for one branch – Gültig für einen Brückenzweig
FAV
0
0
T
A
50
100
150
2
C
[°C]
= 120°C – Gültig, wenn die Gehäusetemperatur auf T
1
http://www.diotec.com/
1
T
T
T
A
j
j
= 25°C
= 25°C
= 50°C
[A]
10
10
10
10
I
1
F
-1
3
2
R-load
C-load
I
V
f > 15 Hz
T
T
T
0.4
F
R
A
A
A
= 12.5 A
= V
= 25°C
= 25°C
= 25°C
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
RRM
V
F
10-32 UNF
M5
0.8
T = 125°C
j
V
I
I
I
R
I
I
i
T
V
FRM
T
I
FSM
FSM
FAV
FAV
2
ISO
thC
R
t
S
F
j
1.0
C
T = 25°C
© Diotec Semiconductor AG
= 120°C gehalten wird
DB25-005 ... DB25-16
j
1.2
18 ± 10% lb.in.
1.4
350a-(12.5a-1,05v)
Grenzwerte
-50...+150°C
-50...+150°C
2 ± 10% Nm
Kennwerte
< 1.05 V
< 2.4 K/W
> 2500 V
[V] 1.8
630 A
< 10 µA
100 A
350 A
385 A
25 A
25 A
2
s
1
2
)
)