MCH6660-TL-H SANYO [Sanyo Semicon Device], MCH6660-TL-H Datasheet - Page 4

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MCH6660-TL-H

Manufacturer Part Number
MCH6660-TL-H
Description
General-Purpose Switching Device Applications
Manufacturer
SANYO [Sanyo Semicon Device]
Datasheet
1000
--2.0
--1.8
--1.6
--1.4
--1.2
--1.0
--0.8
--0.6
--0.4
--0.2
100
1.0
0.1
1.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
10
10
7
5
3
2
7
5
3
2
0.01
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
0.01
0
0
0
0
V DS =10V
I D =2A
--0.1 --0.2
0.2
2
2
3
3
0.4
Drain-to-Source Voltage, V DS -- V
5 7
5 7
Total Gate Charge, Qg -- nC
--0.3
0.6
Drain Current, I D -- A
Drain Current, I D -- A
0.1
0.1
SW Time -- I D
V GS -- Qg
|
--0.4
I D -- V DS
0.8
y
fs | -- I D
2
2
--0.5
1.0
3
3
5 7
5 7
--0.6
1.2
t d (on)
1.0
1.0
--0.7 --0.8
1.4
2
2
1.6
V DD =10V
V GS =4.5V
V DS =10V
3
3
--0.9
1.8
IT16376
IT16378
IT16380
IT14614
5 7
5 7
[Nch]
[Nch]
[Nch]
[Pch]
--1.0
2.0
10
10
MCH6660
0.001
1000
0.01
0.01
--2.0
--1.8
--1.6
--1.4
--1.2
--1.0
--0.8
--0.6
--0.4
--0.2
100
1.0
0.1
1.0
0.1
10
10
10
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
0
0.1
0
0
0
I DP =8A (PW ≤ 10 μs)
Ta=25° C
Single pulse
When mounted on ceramic substrate (900mm
I D =2A
Operation in this
area is limited by R DS (on).
2
2
--0.5
0.2
3
Ciss, Coss, Crss -- V DS
Drain-to-Source Voltage, V DS -- V
4
Drain-to-Source Voltage, V DS -- V
Diode Forward Voltage, V SD -- V
Gate-to-Source Voltage, V GS -- V
5 7 1.0
6
--1.0
0.4
I D -- V GS
I S -- V SD
8
2
A S O
--1.5
0.6
10
3
5 7
2
×0.8mm) 1unit
12
--2.0
0.8
10
14
2
V DS = --10V
16
--2.5
No. A1993-4/9
1.0
3
V GS =0V
f=1MHz
18
IT16377
IT16379
IT16647
IT14615
5 7
[Nch]
[Nch]
[Nch]
[Pch]
--3.0
100
1.2
20

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