K4H560438D-GC SAMSUNG [Samsung semiconductor], K4H560438D-GC Datasheet - Page 3

• Manufacturer Part Number: K4H560438D-GC
• Description: DDR 256Mb
• Manufacturer: SAMSUNG [Samsung semiconductor]

K4H561638D
Pin configuration
64M x 4
32M x 8
16M x 16
V
BA
Pin Name
L(U)DQM
1
2
3
7
8
9
1
2
3
7
8
9
1
2
3
7
8
9
DQ
A
V
DDQ
0
DD
CKE
RAS
CAS
CLK
0
WE
CS
~ A
0
~ BA
/V
/V
~
VDDQ
VDDQ
VSSQ
VDDQ
SS
SSQ
VSSQ
VSSQ
DQ15
12
15
DQ7
VDD
DQ0
VDD
VSS
VDD
VSS
VSS
DQ0
NC
NC
A
A
A
1
VDDQ
VDDQ
VSSQ
VSSQ
VDDQ
VSSQ
DQ14
DQ13
DQ6
DQ1
DQ3
DQ0
DQ2
DQ1
NC
NC
NC
NC
B
B
B
Data Output Power/Ground
Column Address Strobe
Data Input/Output Mask
Power Supply/Ground
Bank Select Address
Row Address Strobe
Data Input/Output
VDDQ
VDDQ
VSSQ
VSSQ
VDDQ
VSSQ
DQ12
DQ11
DQ5
DQ2
DQ4
DQ3
Pin Function
System Clock
NC
NC
NC
NC
NC
NC
Clock Enable
Write Enable
C
C
C
Chip Select
Address
VDDQ
VDDQ
VSSQ
VDDQ
VSSQ
VSSQ
DQ10
DQ2
DQ1
DQ4
DQ3
DQ9
DQ6
DQ5
NC
NC
NC
NC
D
D
D
VDDQ
VDDQ
VSSQ
UDQS
VDDQ
VSSQ
VSSQ
LDQS
DQS
DQS
DQ8
DQ7
NC
NC
NC
NC
NC
NC
E
E
E
60Ball CSP
60Ball CSP
60Ball CSP
VREF
VREF
VREF
VDD
UDM
VSS
VDD
VSS
LDM
VDD
VSS
DM
DM
NC
NC
NC
NC
NC
F
F
F
- 3 -
CAS
CAS
CAS
WE
WE
CK
CK
WE
CK
CK
CK
CK
G
G
G
CKE
RAS
CKE
RAS
CKE
RAS
A12
A12
A12
CS
CS
CS
H
H
H
BA1
BA0
BA1
BA0
A11
BA1
BA0
A11
A11
A9
A9
A9
J
J
J
A10
A10
A10
A8
A7
A0
A8
A7
A0
A8
A7
A0
K
K
K
A6
A5
A2
A1
A6
A5
A2
A1
A6
A5
A2
A1
L
L
L
Rev. 2.2 Mar. ’03
VDD
VDD
VSS
VSS
VSS
VDD
DDR SDRAM
A4
A3
A4
A3
A4
A3
M
M
M