KMM5362205C2W SAMSUNG [Samsung semiconductor], KMM5362205C2W Datasheet - Page 4

• Manufacturer Part Number: KMM5362205C2W
• Description: 2M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 4M Quad CAS EDO, 1K Refresh
• Manufacturer: SAMSUNG [Samsung semiconductor]

DRAM MODULE
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
RAS0
CAS0
CAS1
CAS2
CAS3
A0-A9
W
RAS
CAS0
CAS1
CAS2
CAS3
OE
RAS
LCAS
UCAS
OE
RAS
LCAS
UCAS
OE
W A0-A9
W A0-A9
W A0-A9
Vcc
Vss
U0
U1
U2
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
DQ9
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
DQ9
DQ18-DQ25
DQ27-DQ34
DQ9-DQ16
.1 or .22uF Capacitor
for each DRAM
DQ0-DQ7
DQ17
DQ26
DQ35
DQ8
- 4 -
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
A0-A9
A0-A9
A0-A9
U3
U4
U5
KMM5362205C2W/C2WG
To all DRAMs
UCAS
UCAS
LCAS
LCAS
CAS0
CAS1
CAS2
CAS3
RAS
RAS
W
RAS
W
W
OE
OE
OE
Rev. 0.0 (Nov. 1997)
CAS0
CAS1
CAS2
CAS3
RAS1