SG20SC9M-5600 Shindengen, SG20SC9M-5600 Datasheet - Page 2

• Manufacturer Part Number: SG20SC9M-5600
• Description: Schottky Diodes & Rectifiers Schottky Barrier Diode
• Manufacturer: Shindengen

Specifications of SG20SC9M-5600

• Rohs: yes

■特性図 C H A R A C T E R I S T I C D I A G R A MS
順方向特性
Forward Voltage
逆方向特性
Reverse Current
ディ レーティ ングカーブ
Derating Curve Tc-Io
１ ０ ０ ０
０． ０ ０ １
０． ０ １
１ ０ ０
０ ． ５
０ ． ２
０ ． １
５ ０
２ ０
１ ０
０． １
４ ０
３ ５
３ ０
２ ５
２ ０
１ ５
１ ０
１ ０
５
２
１
５
０
１
０
０
０
０ ． ５
０ ． ５
０ ． ３
０ ． ３
０ ． ２
０ ． ２
０ ． １
０ ． １
０ ． ０ ５
０ ． ０ ５
DC
DC
D＝０ ． ８
D＝０ ． ８
SIN
SIN
２ ０
Case Temperature Tc 〔℃〕
０ ． ５
２ ０
Forward Voltage V
Reverse Voltage V
Tc＝ １ ５ ０ ℃ （TYP）
Tc＝ １ ２ ５ ℃ （TYP）
Tc＝ １ ０ ０ ℃ （TYP）
Tc＝ ７ ５ ℃ （TYP）
Tc＝ ５ ０ ℃ （TYP）
Tc＝ ２ ５ ℃ （TYP）
４ ０
６ ０
Tc-Io
４ ０
Tc＝ １ ５ ０℃ （MAX）
Tc＝ １ ５ ０℃ （TYP）
Tc＝ ２ ５℃ （MAX）
Tc＝ ２ ５℃ （TYP）
１
８ ０
０
０
１ ． ５
６ ０
１ ０ ０
Pulse measurement
Per diode
Pulse measurement
Per diode
tp
R
F
〔V〕
〔V〕
T
１ ２ ０
８ ０
２
V
D＝tp/T
R
１ ４ ０
＝ ４ ５V
I
V
O
R
１ ０ ０
１ ６ ０
２ ． ５
順電力損失曲線
Forward Power Dissipation
逆電力損失曲線
Reverse Power Dissipation
過渡熱抵抗
Transient Thermal Impedance
０ .０ １
www. s h i n d e n g e n . c o . j p / p r o d u c t / s e mi /
０ .１
２ ５
２ ０
１ ５
１ ０
４ ０
３ ５
３ ０
２ ５
２ ０
１ ５
１ ０
１ ０
５
０
５
０
１
Average Rectified Forward Current I
０
０
１ ０
０
０
Tj＝ １ ５ ０℃
Tj＝ １ ５ ０℃
- ４
１ ０
tp
５
０ ． ０ ５
０ ． ０ ５
２ ０
- ３
T
T
tp
Reverse Voltage V
１ ０
０ ． １
０ ． １
１ ０
D＝tp/T
D＝tp/T
- ２
４ ０
０ ． ２
０ ． ２
Time t 〔s〕
I
V
１ ０
O
１ ５
R
- １
０ ． ３
０ ． ３
６ ０
SIN
SIN
１ ０
２ ０
０
０ ． ５
０ ． ５
８ ０
R
〔V〕
１ ０
２ ５
D＝０ ． ８
D＝０ ． ８
１
０ ． １
０ ． １
０ ． ２
０ ． ２
０ ． ３
０ ． ３
０ ． ５
０ ． ５
０ ． ８
０ ． ８
SIN
SIN
DC
DC
D＝０ ． ０ ５
D＝０ ． ０ ５
１ ０ ０
１ ０
３ ０
DC
DC
2
O
θ θ jc jc
θjc
〔A〕
１ ２ ０
１ ０
３ ５
３
せん頭サージ順電流耐量
Peak Surge Forward Current Capability
接合容量
Junction Capacitance
１ ０ ０ ０ ０
１ ０ ０ ０
２ ５ ０
２ ０ ０
１ ５ ０
１ ０ ０
１ ０ ０
５ ０
１ ０
０
＊ S i n e wa v e は 5 0 H z で測定しています。
＊ 5 0 H z s i n ew a v ei s u s e df o r me a s u r e me n t s .
１
０ ． １
０ ． ２
２
Number of Cycles 〔cycle〕
Reverse Voltage V
０ ． ５
１
５
２
１ ０
（
S G 2 0 S C 9 M
J 5 3 3 - P
５
１ ０ms １ ０ms
２ ０
１cycle
１ ０
R
〔V〕
Sine wave
〈
Non-repetitive
Tj＝１ ５ ０℃
２ ０
2 0 1 0 . 0 6
f＝ １MHz
Tc＝ ２ ５℃
TYP
Per diode
５ ０
５ ０
〉 ）
１ ０ ０
９ ０