VEC2315-TL-H ON Semiconductor, VEC2315-TL-H Datasheet - Page 3

• Manufacturer Part Number: VEC2315-TL-H
• Description: MOSFET PCH+PCH 4V DRIVE SERIES
• Manufacturer: ON Semiconductor

Specifications of VEC2315-TL-H

• Rohs: yes
• Transistor Polarity: P-Channel
• Drain-source Breakdown Voltage: - 60 V
• Continuous Drain Current: - 2.5 A
• Resistance Drain-source Rds (on): 137 mOhms
• Mounting Style: SMD/SMT
• Package / Case: VEC-8
• Power Dissipation: 1 W

100
--10
300
250
200
150
100
1.0
0.1
10
10
--9
--8
--7
--6
--5
--4
--3
--2
--1
50
--0.01
0
2
7
5
3
2
7
5
3
2
2
5
3
2
5
3
2
--0.1
0
7
7
0
0
V DS = --30V
I D = --2.5A
--0.75A
1
2
--2
2
3
2
I D = --1.5A
Gate-to-Source Voltage, V GS -- V
--4
5 7
Total Gate Charge, Qg -- nC
3
3
R DS (on) -- V GS
Drain Current, I D -- A
Drain Current, I D -- A
--0.1
SW Time -- I D
--6
4
V GS -- Qg
|
5
y
fs | -- I D
t f
5
2
7
--8
--1.0
3
6
5 7
--10
7
--1.0
2
8
--12
V DD = --30V
V DS = --10V
V GS = --10V
3
2
9
Ta=25°C
--14
3
IT15913
IT15915
IT15919
IT15917
10
5
5
VEC2315
--16
11
7
7
--0.01
--0.01
1000
--1.0
--0.1
--1.0
--0.1
100
--10
300
250
200
150
100
50
--0.01
--0.2
2
0
--60
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
0
Ta=25° C
Single pulse
When mounted on ceramic substrate
(900mm
--40 --20
--5
2 3
--10
Operation in this area
is limited by R DS (on).
2
--0.4
5
×0.8mm) 1unit
Ciss, Coss, Crss -- V DS
Drain-to-Source Voltage, V DS -- V
Drain-to-Source Voltage, V DS -- V
Diode Forward Voltage, V SD -- V
7
Ambient Temperature, Ta -- ° C
--0.1
--15
0
--20
2 3
R DS (on) -- Ta
20
--0.6
I S -- V SD
--25 --30 --35 --40 --45 --50 --55 --60
5 7
A S O
40
--1.0
60
--0.8
2
3
80
5 7
100
--10
--1.0
120
No.8699-3/7
2 3
V GS =0V
f=1MHz
140
IT15914
IT15916
IT15918
IT15920
5 7
--100
--1.2
160