SFH 4555 OSRAM Opto Semiconductors Inc, SFH 4555 Datasheet - Page 2

• Manufacturer Part Number: SFH 4555
• Description: EMITTER IR 850NM 5MM
• Manufacturer: OSRAM Opto Semiconductors Inc

Specifications of SFH 4555

• Wavelength: 850nm
• Package / Case: Radial - 2 Lead
• Current - Dc Forward (if): 100mA
• Radiant Intensity (ie) Min @ If: 160mW/sr @ 100mA
• Voltage - Forward (vf) Typ: 1.5V
• Viewing Angle: 10°
• Orientation: Top View
• Mounting Type: Through Hole
• Beam Angle: 5 deg
• Radiant Intensity: 500 mW/sr
• Maximum Forward Current: 1.5 A
• Maximum Power Dissipation: 180 mW
• Maximum Operating Temperature: + 100 C
• Minimum Operating Temperature: - 40 C
• Fall Time: 12 ns
• Forward Current: 100 mA
• Forward Voltage: 1.5 V
• Lens Shape: Dome
• Mounting Style: Through Hole
• Rise Time: 12 ns
• Lead Free Status / RoHS Status: Lead free / RoHS Compliant
• Other names: Q65110A7341

Grenzwerte (
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrspannung
Reverse voltage
Vorwärtsgleichstrom
Forward current
Stoßstrom,
Surge current
Verlustleistung
Power dissipation
Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung bei
Montage auf FR4 Platine, Padgröße je 16 mm
Thermal resistance junction - ambient mounted
on PC-board (FR4), padsize 16 mm
Kennwerte (
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
Centroid-Wellenlänge der Strahlung
Centroid wavelength
I
Spektrale Bandbreite bei 50% von
Spectral bandwidth at 50% of
I
Abstrahlwinkel
Half angle
Aktive Chipfläche
Active chip area
Abmessungen der aktiven Chipfläche
Dimension of the active chip area
2009-05-14
F
F
F
= 100 mA
= 100 mA
= 100 mA
t
p
T
T
= 10 μs,
A
A
= 25 °C)
= 25 °C)
D
= 0
I
max
I
max
2
each
2
Symbol
Symbol
T
V
I
I
P
R
Symbol
Symbol
λ
λ
Δλ
ϕ
A
L
L
F
FSM
2
peak
centroid
op
R
tot
thJA
×
×
, T
B
W
stg
Wert
Value
– 40 … + 100
5
100
1.5
180
450
Wert
Value
860
850
42
± 5
0.09
0.3 × 0.3
Einheit
Unit
°C
V
mA
A
mW
K/W
Einheit
Unit
nm
nm
nm
Grad
deg.
mm
mm²
2
SFH 4555