SFH487P OSRAM Opto Semiconductors Inc, SFH487P Datasheet

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SFH487P

Manufacturer Part Number
SFH487P
Description
INFRARED RED EMITTER
Manufacturer
OSRAM Opto Semiconductors Inc
Datasheet

Specifications of SFH487P

Current - Dc Forward (if)
100mA
Radiant Intensity (ie) Min @ If
2.5mW/sr @ 100mA
Wavelength
880nm
Voltage - Forward (vf) Typ
1.5V
Viewing Angle
130°
Orientation
Top View
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
T 3/4
Other names
Q2509821
Q2866629
Q62703Q0517
SFH 487 P

Available stocks

Company
Part Number
Manufacturer
Quantity
Price
Part Number:
SFH487P
Quantity:
44 456
Part Number:
SFH487P
Manufacturer:
OSRAM
Quantity:
200 000
Part Number:
SFH487P-1B
Manufacturer:
SIEMENS/OSRAM
Quantity:
100 000
Part Number:
SFH487P/SFH 487P
Manufacturer:
SIEMENS
Quantity:
10 000
GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm)
GaAIAs Infrared Emitter (880 nm)
Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
SFH 487 P
Wesentliche Merkmale
• GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad
• Hohe Zuverlässigkeit
• Hohe Impulsbelastbarkeit
• Gute spektrale Anpassung an
• Gehäusegleich mit SFH 309
Anwendungen
• IR-Fernsteuerung von Fernseh-, Rundfunk-
• Lichtschranken bis 500 kHz
• Münzzähler
• Sensorik
• Diskrete Optokoppler
Typ
Type
SFH 487 P
2007-04-02
Si-Fotoempfänger
und Videogeräten, Lichtdimmern
Bestellnummer
Ordering Code
Q62703Q0517
Gehäuse
Package
3-mm-LED-Gehäuse, plan, klares violettes Epoxy-Gieβ
harz, Anschlüsse im 2.54-mm-Raster (
zeichnung: kürzerer Anschluβ
3 mm LED package (T 1), plane, violet-colored transparent
epoxy resin, solder tabs lead spacing 2.54 mm (
ode marking: short lead
1
Features
• Very highly efficient GaAlAs-LED
• High reliability
• High pulse handling capability
• Good spectral match to silicon photodetectors
• Same package as SFH 309
Applications
• IR remote control for hifi and TV sets, video
• Light-reflection switches (max. 500 kHz)
• Coin counters
• Sensor technology
• Discrete optocouplers
tape recorder, dimmers
1
/
10
’’), Anodenkenn-
1
/
10
’’), an-

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SFH487P Summary of contents

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GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm) GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 487 P Wesentliche Merkmale • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Hohe Impulsbelastbarkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich ...

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T Grenzwerte ( A Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrspannung Reverse voltage Durchlaβstrom Forward current Stoβstrom, τ ≤ 10 μs Surge current Verlustleistung Power dissipation Wärmewiderstand, freie Beinchenlänge max. 10 ...

Page 3

T Kennwerte ( A Characteristics (cont’d) Bezeichnung Parameter Schaltzeiten, I von 10% auf 90% und von 90% auf Ω 10%, bei = 100 mA Switching times, I from 10% to ...

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Strahlstärke I in Achsrichtung e gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr Radiant Intensity I in Axial Direction solid angle of Ω = 0.01 sr Bezeichnung Parameter Strahlstärke Radiant intensity I = 100 mA ...

Page 5

Relative Spectral Emission Ι (λ) rel OHR00877 100 % Ι rel 750 800 850 900 950 nm 1000 λ Forward Current μs Single ...

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Maßzeichnung Package Outlines Maß Dimensions in mm. Empfohlenes Lötpaddesign Recommended Solder Pad Maß (inch) / Dimensions in mm (inch). 2007-04-02 Area not flat 0.6 3.1 2.5 0.4 2.0 1.7 1.8 3.5 1.2 Chip position 29 ...

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Lötbedingungen Soldering Conditions Wellenlöten (TTW) TTW Soldering 300 C 250 T 235 C ... 260 C 200 1. Welle 1. wave 150 ca 200 K/s 100 C ... 130 C 100 Published by OSRAM Opto Semiconductors ...

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