FB20R06KL4_B1 Infineon Technologies, FB20R06KL4_B1 Datasheet

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FB20R06KL4_B1

Manufacturer Part Number
FB20R06KL4_B1
Description
IGBT Modules N-CH 600V 25A
Manufacturer
Infineon Technologies
Datasheet
1.FB20R06KL4_B1.pdf (13 pages)

Specifications of FB20R06KL4_B1

Configuration
Hex
Channel Type
N
Collector-emitter Voltage
600V
Collector Current (dc) (max)
25A
Gate To Emitter Voltage (max)
±20V
Mounting
Screw
Operating Temperature (min)
-40C
Operating Temperature (max)
125C
Operating Temperature Classification
Automotive
Collector- Emitter Voltage Vceo Max
600 V
Continuous Collector Current At 25 C
25 A
Maximum Operating Temperature
+ 125 C
Maximum Gate Emitter Voltage
+/- 20 V
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Mounting Style
Screw
Package / Case
EASY2
Ic (max)
20.0 A
Vce(sat) (typ)
1.95 V
Technology
IGBT2 Low Loss
Housing
EasyPIM™ 2
Lead Free Status / RoHS Status
Compliant

Available stocks

Company
Part Number
Manufacturer
Quantity
Price
Company:
Bonase Electronics (HK) Co., Limited Bonase Electronics (HK) Co., Limited
Part Number:
FB20R06KL4_B1
Manufacturer:
LUCENT
Quantity:
492
Company:
Meier Automation Equipment Co., Limited Meier Automation Equipment Co., Limited
Part Number:
FB20R06KL4_B1
Manufacturer:
INFINEON/英飞凌
Quantity:
20 000
Diode Gleichrichter/ diode rectifier
Periodische Rückw. Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom Grenzeffektivwert pro Chip
RMS forward current per chip
Gleichrichter Ausgang Grenzeffektivstrom
maximum RMS current at Rectifier output
Stoßstrom Grenzwert
surge forward current
Grenzlastintegral
I
Transistor Wechselrichter/transistor inverter
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Diode Wechselrichter/ diode inverter
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
Grenzlastintegral
I
Transistor Brems-Chopper/ transistor brake-chopper
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Diode Brems-Chopper/ diode brake-chopper
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
prepared by: Thomas Passe
approved by: R. Keggenhoff
IGBT-Module
IGBT-Modules
Elektrische Eigenschaften / electrical properties
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Technische Information / technical information
2
2
t - value
t - value
T
T
T
t
t
t
t
T
T
T
t
T
t
V
T
T
T
t
T
t
date of publication: 2003-03-26
revision: 2.1
FB20R06KL4B1
P
P
P
P
P
P
P
P
vj
C
C
vj
C
C
C
vj
C
C
C
R
= 10 ms, T
= 10 ms, T
= 10 ms, T
= 10 ms, T
= 1 ms,
= 1 ms
= 1 ms,
= 1 ms
= 25°C
= 25°C
=25°C
=80°C
=80°C
=25°C
= 65°C
= 25 °C
=25°C
= 65 °C
= 25 °C
= 0V, t
p
= 10ms, T
vj
vj
vj
vj
=
= 150°C
=
= 150°C
25°C
25°C
vj
T
T
= 125°C
c
c
=65°C
=65°C
1(12)
I
I
RMSmax
I
I
V
FRMSM
V
V
V
V
C,nom.
I
C,nom.
I
I
I
I
P
P
FSM
CRM
FRM
CRM
FRM
I
I
RRM
I
GES
I
GES
CES
I
CES
I
2
2
C
tot
F
C
tot
F
t
t
Vorläufig
preliminary
+/- 20V
+/- 20V
1000
800
448
358
642
600
600
58
50
20
25
40
78
20
40
62
20
25
40
78
20
40
A
A
A
W
W
V
A
A
A
A
V
A
A
A
V
A
A
V
A
A
A
V
A
A
2
2
2
s
s
s

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FB20R06KL4_B1 Summary of contents

Page 1

Technische Information / technical information FB20R06KL4B1 IGBT-Module IGBT-Modules Elektrische Eigenschaften / electrical properties Höchstzulässige Werte / maximum rated values Diode Gleichrichter/ diode rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung T repetitive peak reverse voltage Durchlaßstrom Grenzeffektivwert pro Chip T RMS forward current per ...

Page 2

Technische Information / technical information FB20R06KL4B1 IGBT-Module IGBT-Modules Modul Isolation/ module isolation Isolations-Prüfspannung RMS Hz min. insulation test voltage NTC connected to Baseplate Elektrische Eigenschaften / electrical properties Charakteristische Werte / characteristic values Diode ...

Page 3

Technische Information / technical information FB20R06KL4B1 IGBT-Module IGBT-Modules Elektrische Eigenschaften / electrical properties Charakteristische Werte / characteristic values Modulinduktivität stray inductance module Modul Leitungswiderstand, Anschlüsse-Chip T lead resistance, terminals-chip Diode Wechselrichter/ diode inverter V Durchlaßspannung forward voltage V I Rückstromspitze ...

Page 4

Technische Information / technical information FB20R06KL4B1 IGBT-Module IGBT-Modules Thermische Eigenschaften / thermal properties Gleichr. Diode/ rectif. diode Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to heatsink Trans. Wechselr./ trans. inverter Diode Wechselr./ diode inverter Trans. Bremse/ trans. brake Diode Bremse/ diode brake ...

Page 5

Technische Information / technical information FB20R06KL4B1 IGBT-Module IGBT-Modules Ausgangskennlinienfeld Wechselr. (typisch) output characteristic inverter (typical 25° 125° 0,00 0,50 1,00 1,50 Ausgangskennlinienfeld Wechselr. (typisch) output characteristic inverter ...

Page 6

Technische Information / technical information FB20R06KL4B1 IGBT-Module IGBT-Modules Übertragungscharakteristik Wechselr. (typisch) transfer characteristic inverter (typical 25° 125° 5,00 6,00 7,00 Durchlaßkennlinie der Freilaufdiode Wechselr. (typisch) forward characteristic ...

Page 7

Technische Information / technical information FB20R06KL4B1 IGBT-Module IGBT-Modules Schaltverluste Wechselr. (typisch) switching losses inverter (typical) 3 Eon Eoff 2,5 Erec 2 1 Schaltverluste Wechselr. (typisch) switching losses inverter (typical) 3 Eon Eoff 2,5 Erec ...

Page 8

Technische Information / technical information FB20R06KL4B1 IGBT-Module IGBT-Modules Transienter Wärmewiderstand Wechselr. transient thermal impedance inverter 10,000 Zth-IGBT Zth-FWD 1,000 IGBT: r FWD: r 0,100 0,001 0,01 Sicherer Arbeitsbereich Wechselr. (RBSOA) reverse bias save operating area inverter (RBSOA ...

Page 9

Technische Information / technical information FB20R06KL4B1 IGBT-Module IGBT-Modules Ausgangskennlinienfeld Brems-Chopper-IGBT (typisch) output characteristic brake-chopper-IGBT (typical 25° 125° 0,00 0,50 1,00 1,50 Durchlaßkennlinie der Brems-Chopper-Diode (typisch) I forward ...

Page 10

Technische Information / technical information FB20R06KL4B1 IGBT-Module IGBT-Modules Durchlaßkennlinie der Gleichrichterdiode (typisch) forward characteristic of rectifier diode (typical 25° 150° 0,00 0,20 NTC- Temperaturkennlinie (typisch) NTC- temperature ...

Page 11

Technische Information / technical information FB20R06KL4B1 IGBT-Module IGBT-Modules Schaltplan/ circuit diagram Gehäuseabmessungen/ package outlines Bohrplan / drilling layout Vorläufig preliminary 11(12) ...

Page 12

Technische Information / technical information FB20R06KL4B1 IGBT-Module IGBT-Modules Gehäuseabmessungen Forts. / package outlines contd. Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices ...

Page 13

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