FW907-TL-E ON Semiconductor, FW907-TL-E Datasheet - Page 5

• Manufacturer Part Number: FW907-TL-E
• Description: MOSFET N/P-CH 30V 10A 8SOP
• Manufacturer: ON Semiconductor
• Series: -r

Specifications of FW907-TL-E

• Fet Type: N and P-Channel
• Fet Feature: Logic Level Gate
• Rds On (max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 10A, 10V
• Drain To Source Voltage (vdss): 30V
• Current - Continuous Drain (id) @ 25° C: 10A
• Vgs(th) (max) @ Id: -
• Gate Charge (qg) @ Vgs: 17nC @ 10V
• Input Capacitance (ciss) @ Vds: 1000pF @ 10V
• Power - Max: 2.3W
• Mounting Type: Surface Mount
• Package / Case: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
• Lead Free Status / Rohs Status: Lead free / RoHS Compliant

100
--10
1.0
0.1
10
10
--9
--8
--7
--6
--5
--4
--3
--2
--1
80
70
60
50
40
30
20
10
--0.01
0
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
3
2
5
3
2
7
5
--0.1
0
7
0
0
V DS = --15V
I D = --8A
I D = --4A
1
2 3
2
--2
2
3
3
5 7
Gate-to-Source Voltage, V GS -- V
4
--8A
--4
Total Gate Charge, Qg -- nC
--0.1
5
5
R DS (on) -- V GS
Drain Current, I D -- A
Drain Current, I D -- A
SW Time -- I D
6
7
--6
V GS -- Qg
|
2 3
--1.0
7
y
t f
fs | -- I D
8
--8
5 7
9
2
10
--1.0
3
11
--10
12 13 14 15 16 17
2
5
3
--12
7
V DD = --15V
V GS = --10V
V DS = --10V
5 7
--10
Ta=25°C
--10
--14
IT15855
IT15857
IT15861
IT15859
[Pch]
[Pch]
[Pch]
[Pch]
2
2
--16
FW907
18
3
3
--0.01
--0.01
--100
1000
--1.0
--0.1
--1.0
--0.1
--10
--10
100
70
60
50
40
30
20
10
--0.01
--0.2
0
--60
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
3
2
7
5
3
2
7
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
0
Ta=25° C
Single pulse
When mounted on ceramic substrate
(2000mm
--40 --20
2 3
Operation in this
area is limited by R DS (on).
--5
--0.4
2
5 7
Ciss, Coss, Crss -- V DS
Drain-to-Source Voltage, V DS -- V
Drain-to-Source Voltage, V DS -- V
Diode Forward Voltage, V SD -- V
×0.8mm) 1unit
Ambient Temperature, Ta -- ° C
--0.1
0
--10
R DS (on) -- Ta
2
20
--0.6
I S -- V SD
3
A S O
40
5 7
--15
--1.0
60
--0.8
80
2
--20
3
100
5 7
No. A1810-5/6
--1.0
--10
120
--25
V GS =0V
f=1MHz
140
IT15856
IT15858
IT15860
2 3
IT15862
[Pch]
[Pch]
[Pch]
[Pch]
--1.2
160
--30
5