T501N Infineon Technologies, T501N Datasheet - Page 10

• Manufacturer Part Number: T501N
• Manufacturer: Infineon Technologies

Specifications of T501N

• Vdrm/ Vrrm (v): 6,000.0 - 7,000.0 V
• Itsm: 13,000.0 A
• Itavm: 640 (180 ° el sin)
• Housing: Dia 75mm height 26mm / Ceramic
• Configuration: Phase Control Thyristors / SCR Diode Discs

Date of Publication: 2011-05-02
Phase Control Thyristor
Typical dependency of maximum overload on-state current I
Typische Abhängigkeit des Grenzstromes I
Netz-Thyristor
14
12
10
8
6
4
2
0
1
2
3
4
at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage V
Number of pulses for 50Hz sinusoidal half wave
Parameter: Rückwärtsspannung V
5
I
Technische Information /
T(OV)M
Anzahl Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen
technical information
6
T(OV)M
= f (pulses, V
7
T501N
von der Anzahl für eine Folge von Sinus Halbwellen bei 50Hz.
Revision: 11.0
8
T(OV)M
RM
9
) ; T
as a number of a sequence of sinusoidal half waves
10
vj
= T
11
vjmax
RM
12
RM
13
14
0,67 VRRM
15
0,33 VRRM
0-50V
16
17
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