T501N Infineon Technologies, T501N Datasheet - Page 5

• Manufacturer Part Number: T501N
• Manufacturer: Infineon Technologies

Specifications of T501N

• Vdrm/ Vrrm (v): 6,000.0 - 7,000.0 V
• Itsm: 13,000.0 A
• Itavm: 640 (180 ° el sin)
• Housing: Dia 75mm height 26mm / Ceramic
• Configuration: Phase Control Thyristors / SCR Diode Discs

Date of Publication: 2011-05-02
Phase Control Thyristor
kathodenseitig
cathode-sided
Netz-Thyristor
anodenseitig
anode-sided
two-sided
beidseitig
0,001
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / transient thermal impedance Z
Analytische Funktion / analytical function:
R
R
R
thn
thn
thn
Pos. n
τ
τ
τ
n
n
n
[K/kW]
[K/kW]
[K/kW]
[s]
[s]
[s]
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
0,01
analytical elements of transient thermal impedance Z
0,676
c : Kathodenseitige Kühlung / cathode-sided cooling
8,48
19,2
4,13
28,1
4,13
a : Anodenseitige Kühlung / anode-sided cooling
1
b : Beidseitige Kühlung / two-sided cooling
Durchlasskennlinie
Technische Information /
technical information
0,1
0,132
2,43
1,06
0,45
2,3
0,4
2
T501N
Revision: 11.0
t [s]
0,062
0,154
0,126
3,04
4,87
2,8
3
1
Z
thJC
0,0134
0,0607
0,0374
2,72
3,66
2,37
4

10
n
n=1

max
0,0019
0,0101
0,0091
0,33
2,54
2,1
R
thJC
5
thn
thJC
thJC
1
/
bi
ai
ci

100
= f(t) for DC
e
6
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
-t

n
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