ssm3j46ctb TOSHIBA Semiconductor CORPORATION, ssm3j46ctb Datasheet
ssm3j46ctb
Manufacturer Part Number
ssm3j46ctb
Description
???????????? ????P????MOS? (U-MOS?)
Manufacturer
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
Datasheet
1.SSM3J46CTB.pdf
(6 pages)
○ パワーマネージメントスイッチ
•
•
絶対最大定格
現品表示(top view)
1.5 V 駆動です
オン抵抗が低い R
ド レ イ ン ・ ソ ー ス 間 電 圧
ゲ ー ト ・ ソ ー ス 間 電 圧
ド
チ
保
注:
注 1: FR4 基板実装時
ド
極性判別マーキング
レ
S V
本製品の使用条件 (使用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格以内で
の使用においても、高負荷 (高温および大電流/高電圧印加、多大
な温度変化等) で連続して使用される場合は、 信頼性が著しく低下
するおそれがあります。
弊社半導体信頼性ハンドブック (取り扱い上のご注意とお願いお
よびディレーティングの考え方と方法) および個別信頼性情報
(信頼性試験レポート、推定故障率等) をご確認の上、適切な信頼性設計をお願いします。
(25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 mm, Cu Pad: 645 mm
レ
ャ
イ
存
項
ン
イ
ネ
(Ta = 25°C)
電
東芝電界効果トランジスタ シリコンPチャネルMOS形 (U-MOSⅥ)
R
R
R
ン
on
on
on
on
ル
流
目
温
= 250 mΩ (max) (@V
= 178 mΩ (max) (@V
= 133 mΩ (max) (@V
= 103 mΩ (max) (@V
損
温
パルス
DC
失
度
度
ピン接続図(top view)
SSM3J46CTB
記 号
V
V
P
T
I
T
GSS
DSS
I
DP
D
stg
D
ch
GS
GS
GS
GS
(注 1)
1
2
極性判別マーキング(表面)
= -1.5 V)
= -1.8 V)
= -2.5 V)
= -4.5 V)
1. ゲート
2. ソース
3. ドレイン
＊電極は裏面です。
−55 to 150
定
1000
-2.0
-4.0
150
-20
± 8
2
3
1
)
格
単位
mW
°C
°C
V
V
A
内部等価回路
質量: 1.5 mg (標準)
JEDEC
JEITA
東芝
CST3B
*BOTTOM VIEW
0.05
±
1
0.03
0.8
0.70
±
1
0.45
0.05
±
3
0.25
0.03
2
3
±
SSM3J46CTB
0.03
B
0.04
2-1T1A
A
0.04
M
2009-09-28
―
―
A
M
B
A
2
0.48
B
1. ゲート
2. ソース
3. ドレイン
単位: mm
+0.02
-0.03
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Image
Part Number
Description
Manufacturer
Datasheet
Request
R
Part Number:
Description:
Toshiba Semiconductor [TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT]
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TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
Datasheet:
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Description:
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TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
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Part Number:
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Toshiba Semiconductor [GTR Module Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications Motor Control Applications]
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TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
Datasheet:
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Description:
Toshiba Semiconductor [Power Module]
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TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
Datasheet:
Part Number:
Description:
TOSHIBA GTR MODULE SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE
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TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
Datasheet:
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Description:
TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT
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TOSHIBA Intelligent Power Module Silicon N Channel IGBT
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Datasheet:
Part Number:
Description:
TOSHIBA INTELLIGENT POWER MODULE SILICON N CHANNEL LGBT
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Datasheet:
Part Number:
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TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT
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TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
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TOSHIBA GTR MODULE SILICON N−CHANNEL IGBT
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TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
Datasheet:
Part Number:
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TOSHIBA Intelligent Power Module Silicon N Channel IGBT
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TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
Datasheet:
Part Number:
Description:
TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT
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TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
Datasheet:
Part Number:
Description:
TOSHIBA INTELLIGENT POWER MODULE
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TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
Datasheet:
Part Number:
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TOSHIBA Intelligent Power Module Silicon N Channel IGBT
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TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
Datasheet:
Part Number:
Description:
TOSHIBA Intelligent Power Module Silicon N Channel IGBT
Manufacturer:
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
Datasheet:
ssm3j46ctb Summary of contents
Page 1
... SSM3J46CTB 0.8 0.05 ± 単位 *BOTTOM VIEW 0.45 0.25 ...
Page 2
... D は V より低い電圧にする必要があります。 GS (off SSM3J46CTB 最小 標準 最大 −20 ⎯ ⎯ ...
Page 3
... V 300 ソース接地 25°C 200 100 - ° -1.0 -1.0 -0.5 0 −50 150 3 SSM3J46CTB I – -25 °C -0.5 -1.0 -1.5 ( – (ON) D -2.5 V -1.8V -1.5 V VGS = -4.5 V -2.0 -3.0 -4.0 ド ...
Page 4
... V 10000 t off 1000 C iss t f 100 C oss rss -100 -0.001 ( SSM3J46CTB I – =100 °C 25 °C -25 °C 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 ( – ソース接地 ...
Page 5
... Cu Pad : 645 mm b: FR4 基板実装時 (25.4mm × 25.4mm × 1.6mm , Cu Pad : 0.58 mm 1000 a 800 600 400 b 200 -40 -20 100 1000 5 SSM3J46CTB P – 100 120 140 160 周囲温度 T (°C) ...
Page 6
... SSM3J46CTB 2009-09-28 ...