ssm3j46ctb TOSHIBA Semiconductor CORPORATION, ssm3j46ctb Datasheet - Page 2

• Manufacturer Part Number: ssm3j46ctb
• Description: ???????????? ????P????MOS? (U-MOS?)
• Manufacturer: TOSHIBA Semiconductor CORPORATION

電気的特性
スイッチング特性測定条件
使用上の注意
チング動作の場合、V
取り扱い上の注意
ください。
(V
V
ご使用する際には十分注意願います。
この製品は構造上静電気に弱いため製品を取り扱う際、作業台･人･はんだごてなどに対し必ず静電対策を講じて
GS (off)
ド レ イ ン ･ ソ ー ス 間 降 伏 電 圧
ド レ イ ン し ゃ 断 電 流
ゲ
ゲ ー ト し き い 値 電 圧
順 方 向 伝 達 ア ド ミ タ ン ス
ド レ イ ン ･ ソ ー ス 間 オ ン 抵 抗
入
出
帰
スイッチング時間
総
ゲ ー ト ・ ソ ー ス 間 電 荷 量
ゲ ー ト ・ ド レ イ ン 間 電 荷 量
ドレイン･ソース間ダイオード順電圧
注 2: パルス測定
注 3: ゲート･ソース間に正バイアスを印加した場合、V(BR)DSX モードとなり、ドレイン･ソース間の電圧が低下しま
(a) 測定回路
th
−
2.5V
とは、ある低い動作電流値 (本製品においては I
ー
ゲ
0
すのでご注意下さい。
＜ V
10 μs
ト
力
力
還
ー
V
R
Duty < = 1%
入力: t
ソース接地
Ta = 25°C
項
DD
G
th
(Ta = 25°C)
= 4.7 Ω
= -10 V
漏
ト
＜ V
r
, t
GS (on)
タ ー ン オ ン 時 間
ターンオフ時間
f
IN
< 5 ns
GS (on)
目
れ
容
容
容
電
は V
電
荷
)
th
流
量
量
量
量
より十分高い電圧、V
R
V
OUT
V
V
L
DD
R
記 号
(BR) DSS
(BR) DSX
⏐Y
V
DS (ON)
I
I
C
C
C
Q
Q
GSS
DSS
V
t
Q
t
DSF
off
oss
on
rss
iss
gs
gd
th
fs
g
⏐
I
I
V
V
V
V
I
I
I
I
V
f = 1 MHz
V
V
V
V
I
D
D
D
D
D
D
D
DS
GS
DS
DS
DS
DD
GS
DD
GS
D
= −1 mA, V
= −1 mA, V
= -1.5 A, V
= -1.0 A, V
= -0.5 A, V
= -0.25 A, V
= 2.0 A, V
= -1mA) になるときのゲート･ソース間電圧で表されます。通常のスイッ
(b)入力波形
(c)出力波形
= −20 V, V
= −3 V, I
= −3 V, I
= −10 V, V
= ±8 V, V
= −10 V, I
= 0 ～ −2.5 V, R
= −10 V, I
= − 4.5 V
GS (off)
2
測 定 条 件
GS
D
D
GS
GS
GS
GS
GS
DS
GS
D
DD
は V
= −1 mA
= −1.0 A
GS
GS
= 0 V
= −4.5 V
= −2.5 V
= −1.8 V
= −0.5 A
= 0 V
= 5 V
= 0 V
= −1.5 V
= −2.0 A,
= 0 V
= 0 V
th
G
より低い電圧にする必要があります。
V
V
= 4.7 Ω
DD
DS (ON)
−2.5 V
0 V
(注 3)
(注 2)
(注 2)
(注 2)
(注 2)
(注 2)
(注 2)
t
on
10%
最小
−0.3
−20
−15
2.6
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
t
r
90%
10%
107.5
標準
88.5
13.4
46.2
130
151
290
5.2
4.7
3.7
1.0
0.9
44
32
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
SSM3J46CTB
t
90%
off
最大
−1.0
103
133
178
250
1.2
−1
±1
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
2009-09-28
t
f
単位
mΩ
nC
μA
μA
pF
ns
V
V
V
S
V