tpcp8405 TOSHIBA Semiconductor CORPORATION, tpcp8405 Datasheet - Page 3

• Manufacturer Part Number: tpcp8405
• Description: Mosfet ????p/n????mos? U-mos?/u-mos?-h
• Manufacturer: TOSHIBA Semiconductor CORPORATION

5. 5. 5. 5. 熱抵抗特性
熱抵抗特性
熱抵抗特性
熱抵抗特性
注1: チャネル温度が150を超えることのない放熱条件でご使用ください。
注2: ガラスエポキシ基板 実装例a (図5.1) 使用時
注3: ガラスエポキシ基板 実装例b (図5.2) 使用時
注4: 1素子通電時では, 片側の素子だけに電力印加した場合の許容損失値, あるいは熱抵抗値を記載します。
注5: 2素子通電時では, それぞれの素子に均等に電力印加した場合の1素子あたりの許容損失値, あるいは熱抵抗値を記
注6: アバランシェエネルギー (単発) 印加条件
注意:この製品はMOS構造です。取り扱いの際には静電気にご注意ください。
チャネル・外気間熱抵抗 (1素子通電時)
チャネル・外気間熱抵抗 (2素子通電時1素子あたり)
チャネル・外気間熱抵抗 (1素子通電時)
チャネル・外気間熱抵抗 (2素子通電時1素子あたり)
載します。
Pチャネル: V
Nチャネル: V
図 図 図 図 5.1
5.1
5.1
5.1 ガラスエポキシ基板
DD
ガラスエポキシ基板
ガラスエポキシ基板
ガラスエポキシ基板 実装例
DD
= -24 V, T
= 24 V, T
ch
ch
= 25 (初期), L = 0.2 mH, R
= 25 (初期), L = 0.2 mH, R
実装例
実装例
実装例a a a a
項目
3
(t = 5 s)
(t = 5 s)
(t = 5 s)
(t = 5 s)
G
G
= 25 Ω, I
= 25 Ω, I
図 図 図 図 5.2
5.2
5.2
5.2 ガラスエポキシ基板
(注2), (注4)
(注2), (注5)
(注3), (注4)
(注3), (注5)
AR
AR
= 6.5 A
ガラスエポキシ基板
= -6 A
ガラスエポキシ基板
ガラスエポキシ基板 実装例
R
R
R
R
th(ch-a)(1)
th(ch-a)(2)
th(ch-a)(1)
th(ch-a)(2)
記号
TPCP8405
実装例
実装例
実装例b b b b
101.6
215.5
347.2
最大
84.5
2011-03-14
Rev.2.0
/W
単位