tpcp8405 TOSHIBA Semiconductor CORPORATION, tpcp8405 Datasheet - Page 4

• Manufacturer Part Number: tpcp8405
• Description: Mosfet ????p/n????mos? U-mos?/u-mos?-h
• Manufacturer: TOSHIBA Semiconductor CORPORATION

6. 6. 6. 6. 電気的特性
6.1.
6.1.
6.1.
6.1. 静的特性
電気的特性
電気的特性
電気的特性
注7: ゲートソース間に逆バイアスを印加した場合, V
ゲート漏れ電流
ドレインしゃ断電流
ドレイン・ソース間降伏電圧
ドレイン・ソース間降伏電圧
ゲートしきい値電圧
ドレイン・ソース間オン抵抗
静的特性
静的特性
静的特性 ( ( ( (特に指定のない限り
のでご注意ください。
特に指定のない限り
特に指定のない限り
特に指定のない限り, T
項目
(注7)
素子
P-ch
N-ch
P-ch
N-ch
P-ch
N-ch
P-ch
N-ch
P-ch
N-ch
P-ch
N-ch
, T
, T
, T
a a a a
V
V
R
= 25
= 25
= 25
= 25    ) ) ) )
(BR)DSS
(BR)DSX
記号
DS(ON)
I
I
GSS
DSS
V
th
4
(BR)DSX
V
V
V
V
I
I
I
I
V
V
V
V
V
V
D
D
D
D
GS
GS
DS
DS
DS
DS
GS
GS
GS
GS
= -10 mA, V
= 10 mA, V
= -10 mA, V
= 10 mA, V
モードとなり, ドレインソース間の耐圧が低下します
= ±20 V, V
= ±20 V, V
= -30 V, V
= 30 V, V
= -10 V, I
= 10 V, I
= -4.5 V, I
= -10 V, I
= 4.5 V, I
= 10 V, I
測定条件
D
D
D
GS
GS
GS
D
D
GS
GS
D
GS
= 0.1 mA
= 3.3 A
DS
DS
= -0.1 mA
= 3.3 A
= -3 A
= -3 A
= 0 V
= -20 V
= 0 V
= 0 V
= 0 V
= 10 V
= 0 V
= 0 V
最小
-0.8
-30
-21
1.3
30
15








標準
32
24
22
20










TPCP8405
2011-03-14
最大
±0.1
±0.1
31.3
-2.0
-10
2.3
10




42
29
26
Rev.2.0
単位
mΩ
µA
µA
V
V
V