C150AG-01 HUASHAN [SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD], C150AG-01 Datasheet

C150AG-01

Manufacturer Part Number

C150AG-01

Description

NPN SILICON TRANSISTOR

Manufacturer

HUASHAN [SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD]

Datasheet

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█ 芯片简介

█ 极限值

█ 电参数

芯片尺寸：4 英寸（100mm）

芯片代码：C150AG-01

芯片厚度：240±20µm

管芯尺寸：1500×1500µm

焊位尺寸：B 极 290×450µm

电极金属：铝

背面金属：银

典型封装：2SD880，HD880

参数符号

STG

CBO

EBO

stg

CBO

CEO

EBO

——结温………………………………………………150℃

——集电极电流………………………………………… 3A

——基极电流………………………………………… 0.3A

——集电极耗散功率…………………………………30W

CEO

(sat)

(on)

——贮存温度………………………………… -55~150℃

——集电极—发射极电压………………………… 60V

——发射极—基极电压………………………………7V

——集电极—基极电压…………………………… 60V

汕头华汕电子器件有限公司

（T

集电极—基极截止电流

发射极—基极截止电流

集电极—发射极击穿电压

直流电流增益

集电极—发射极饱和电压

基极—发射极导通电压

特征频率

共基极输出电容

导通时间

载流子贮存时间

下降时间

=25℃）（封装形式：TO-220）

符号说明

；E 极 285×450µm

最小值典型值最大值单位

NPN

D880 晶体管芯片说明书

0.4

0.7

0.8

1.5

0.8

S I L I C O N

100

300

█ 管芯示意图

MHz

µA

µs

T R A N S I S T O R

f=1.0 MHz

=50mA，I

=3A，I

测试条件

=7V，I

=5V，I

=60V，I

=10V，I

=-I

=30V，I

=0.3A

=0.2A

=0.5A

=3A

=0.5A

=0，

=2A

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