2MBI150U4A-120-50 FUJI ELECTRIC, 2MBI150U4A-120-50 Datasheet - Page 13
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2MBI150U4A-120-50
Manufacturer Part Number
2MBI150U4A-120-50
Description
DUAL IGBT MODULE 150A 1200V TRENCH
Manufacturer
FUJI ELECTRIC
Datasheet
1.2MBI150U4A-120-50.pdf
(13 pages)
Specifications of 2MBI150U4A-120-50
Module Configuration
Dual
Transistor Polarity
N Channel
Dc Collector Current
200A
Collector Emitter Voltage Vces
2.3V
Power Dissipation Max
735W
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Lead Free Status / RoHS Status
Lead free / RoHS Compliant
Available stocks
Company
Part Number
Manufacturer
Quantity
Price
Part Number:
2MBI150U4A-120-50
Manufacturer:
FUJITSU/富士通
Quantity:
20 000
- Fuji Electric Device Technology is constantly making every endeavor to improve the product quality and reliability.
- The application examples described in this specification only explain typical ones that used the Fuji Electric Device
- The product described in this specification is not designed nor made for being applied to the equipment or
- Never add the excessive mechanical stress to the main or control terminals when the product is applied to
- In case of insufficient -VGE, erroneous turn-on of IGBT may occur. -VGE shall be set enough value to prevent
- In case of higher turn-on dv/dt of IGBT, erroneous turn-on of opposite arm IGBT may occur. Use this product in
- This product may be broken by avalanche in case of VCE beyond maximum rating VCES is applied between
equipments. The module structure may be broken.
素子を装置に実装する際に、主端子や制御端子に過大な応力を与えないで下さい。端子構造が破壊する可能性があります。
this malfunction. (Recommended value : -VGE = -15V)
逆バイアスゲート電圧-VGEが不足しますと誤点弧を起こす可能性があります。誤点弧を起こさない為に-VGEは十分な値で
設定して下さい。 (推奨値 : -VGE = -15V)
the most suitable drive conditions, such as +VGE, -VGE, RG to prevent the malfunction.
ターンオン dv/dt が高いと対抗アームのIGBTが誤点弧を起こす可能性があります。誤点弧を起こさない為の最適なドライブ
条件(+VGE, -VGE, RG等)でご使用下さい。
C-E terminals. Use this product within its absolute maximum voltage.
VCESを超えた電圧が印加された場合、アバランシェを起こして素子破壊する場合があります。VCEは必ず絶対定格の範囲内
でご使用下さい。
However, semiconductor products may rarely happen to fail or malfunction. To prevent accidents causing injury or
death, damage to property like by fire, and other social damage resulted from a failure or malfunction of
the Fuji Electric Device Technology semiconductor products, take some measures to keep safety such as redundant
design, spread-fire-preventive design, and malfunction-protective design.
富士電機デバイステクノロジーは絶えず製品の品質と信頼性の向上に努めています。しかし、半導体製品は故障が発生したり、
誤動作する場合があります。富士電機デバイステクノロジー製半導体製品の故障または誤動作が、結果として人身事故・火災
等による財産に対する損害や社会的な損害を起こさないように冗長設計・延焼防止設計・誤動作防止設計など安全確保
のための手段を講じて下さい。
Technology products. This specification never ensure to enforce the industrial property and other rights, nor license the
enforcement rights.
本仕様書に記載してある応用例は、富士電機デバイステクノロジー製品を使用した代表的な応用例を説明するものであり、
本仕様書によって工業所有権、その他権利の実施に対する保障または実施権の許諾を行うものではありません。
systems used under life-threatening situations. When you consider applying the product of this specification
to particular used, such as vehicle-mounted units, shipboard equipment, aerospace equipment, medical devices,
atomic control systems and submarine relaying equipment or systems, please apply after confirmation
本仕様書に記載された製品は、人命にかかわるような状況下で使用される機器あるいはシステムに用いられることを
目的として設計・製造されたものではありません。本仕様書の製品を車両機器、船舶、航空宇宙、医療機器、原子力
制御、海底中継機器あるいはシステムなど、特殊用途へのご利用をご検討の際は、システム構成及び要求品質に
満足することをご確認の上、ご利用下さい。
of this product to be satisfied about system construction and required reliability.
If there is any unclear matter in this specification, please contact Fuji Electric Device Technology Co.,Ltd.
Warnings
Cautions
MS5F6031
H04-004-03a
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