D1049N18T Infineon Technologies, D1049N18T Datasheet - Page 4

• Manufacturer Part Number: D1049N18T
• Description: Discrete Semiconductor Modules 1800V 2590A 57MM
• Manufacturer: Infineon Technologies

Specifications of D1049N18T

• Mounting Style: SMD/SMT
• Package / Case: D104
• Lead Free Status / RoHS Status: Lead free / RoHS Compliant

[°C/W]
Z
[°C/W]
R
(th)JC
thJC
0,10
0,08
0,06
0,04
0,02
0,02
0,01
0
0
30
10
D1049N_2
D1049N_3
D 1049 N
Bild / Fig. 5
Differenz zwischen den Wärmewiderständen
für Pulsstrom und DC
Difference between the values of thermal resistance for
pulse current and DC
Parameter: Stromkurvenform / Current waveform
Bild / Fig. 7
Transienter innerer Wärmewiderstand
Transient thermal impedance Z
1 - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
2 - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
3 - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
-3
T
10
60
-2
10
90
-1
T
thJC
= f(t), DC
120
10
0
t [s]
[°el]
10
150
1
T
1
3
2
10
180
2
Q r
[ As]
1 - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
2 - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
3 - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
Analytische Funktion / Analytical function
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
Analytical elements of transient thermal impedance Z
Z
Cooling
Kühlg.
thJC
1
2
3
10
=
n
n=1
3
0,1
max
R
R
R
D1049N_7
Bild / Fig. 6
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Q
t
Beschaltung / Snubber: C = 1 µF; R = 3,9
Parameter: Durchlaßstrom / Forward current i
n
n
n
vj =
5
4
3
2
9
8
7
6
5
thn
thn
thn
Pos.
[s]
[s]
[s]
R
n
°C/W
°C/W
°C/W
t
thn
vjmax
(1-EXP(-t/
0,000008
0,00002
0,000008
0,00002
0,000008
0,00002
; v
R
1
0,5 V
0,000782
0,000583
0,000772
0,000581
0,00052
0,000479
n
))
RRM
2
1
; V
0,00342
0,00336
0,00339
0,00333
0,00305
0,00254
RM
3
= 0,8 V
0,00369
0,0458
0,0028
0,0381
0,00184
0,0163
4
RRM
-di
F
0,0131
0,173
0,01713
0,182
0,0169
0,146
/dt [A/ s]
thJC
10
5
FM
for DC
r
= f(-di
0,014
0,999
0,0369
5,83
0,00538
6,65
i
thJC
FM
6
[A]=
für DC
F
/dt)
0,0543
6,82
1600
7
800
400
200
100
100
50