DDB2U30N08VR Infineon Technologies, DDB2U30N08VR Datasheet

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DDB2U30N08VR

Manufacturer Part Number
DDB2U30N08VR
Description
IGBT Modules N-CH 600V 25A
Manufacturer
Infineon Technologies
Datasheet

Specifications of DDB2U30N08VR

Configuration
Single
Collector- Emitter Voltage Vceo Max
600 V
Continuous Collector Current At 25 C
25 A
Maximum Operating Temperature
+ 125 C
Maximum Gate Emitter Voltage
+/- 20 V
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Mounting Style
Screw
Package / Case
EASY750
Channel Type
N
Collector-emitter Voltage
600V
Collector Current (dc) (max)
25A
Gate To Emitter Voltage (max)
±20V
Mounting
Screw
Operating Temperature (min)
-40C
Operating Temperature (max)
125C
Operating Temperature Classification
Automotive
Packages
AG-EASY750-1
Vrrm (max)
800.0 V
Id
48
Rthjc (max)
1.3 K/W
Housing
EasyBRIDGE 750
Lead Free Status / Rohs Status
Compliant

Available stocks

Company
Part Number
Manufacturer
Quantity
Price
Part Number:
DDB2U30N08VR
Manufacturer:
SEMIKRON
Quantity:
1 000
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
Diode-Gleichrichter / diode-rectifier
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Charakteristische Werte / characteristic values
0
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Vorläufige Daten / preliminary data
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Page 8

... Technische Information / technical information DDB2U30N08VR IGBT-Module IGBT-modules Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen. ...

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