FF400R17KF6C-B2 Infineon Technologies, FF400R17KF6C-B2 Datasheet

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FF400R17KF6C-B2

Manufacturer Part Number
FF400R17KF6C-B2
Description
IGBT Modules 1700V 400A DUAL
Manufacturer
Infineon Technologies
Datasheet

Specifications of FF400R17KF6C-B2

Configuration
Dual
Collector- Emitter Voltage Vceo Max
1700 V
Collector-emitter Saturation Voltage
2.6 V
Continuous Collector Current At 25 C
650 A
Gate-emitter Leakage Current
400 nA
Power Dissipation
3.3 KW
Maximum Operating Temperature
+ 125 C
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Mounting Style
Screw
Package / Case
IHM
Lead Free Status / RoHS Status
Lead free / RoHS Compliant
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
Grenzlastintegral der Diode
I
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
Gateladung
gate charge
Eingangskapazität
input capacitance
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
prepared by: Alfons Wiesenthal
approved by: Chr. Lübke; 11.08.2000
IGBT-Module
IGBT-Modules
1700V IGBT Modul mit low loss IGBT der 2. Generation und softer EmCon Diode
1700V IGBT Module with low loss IGBT of 2nd generation and soft EmCon Diode
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
Technische Information / Technical Information
2
t - value, Diode
T
T
t
T
t
V
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
I
I
I
V
f = 1MHz,T
f = 1MHz,T
V
V
V
date of publication: 13.07.2000
revision: 2 (Series)
FF 400 R 17 KF6C B2
C
C
C
P
P
C
C
C
R
GE
CE
CE
CE
= 1 ms, T
= 1 ms
= 400A, V
= 400A, V
= 30mA, V
=25°C, Transistor
= 80 °C
= 25 °C
= 0V, t
= 1700V, V
= 1700V, V
= 0V, V
= -15V ... +15V
p
= 10ms, T
vj
vj
GE
C
GE
GE
CE
= 25°C,V
= 25°C,V
= 80°C
= 20V, T
= 15V, T
= 15V, T
GE
GE
= V
= 0V, T
= 0V, T
GE
1(8)
, T
Vj
CE
CE
vj
= 125°C
vj
vj
vj
= 25°C
= 25V, V
= 25V, V
= 25°C
= 125°C
= 25°C
vj
vj
= 25°C
= 125°C
GE
GE
= 0V
= 0V
V
V
I
V
V
V
C,nom.
I
I
C
C
I
I
P
CE sat
CRM
FRM
GE(th)
Q
GES
CES
I
ISOL
CES
I
GES
I
2
C
F
res
tot
ies
G
t
min.
4,5
-
-
-
-
-
-
+/- 20V
1700
typ.
0,01
400
650
800
400
800
3,3
2,6
3,1
5,5
4,8
1,3
45
27
4
5
-
FF400R17KF6CB2
max.
400
3,1
3,6
6,5
40
1
-
kA
kW
mA
mA
µC
kV
nF
nF
nA
V
A
A
A
V
A
A
V
V
V
2
s

Related parts for FF400R17KF6C-B2

FF400R17KF6C-B2 Summary of contents

Page 1

... V 1700 V CES I 400 A C,nom. I 650 800 A CRM P 3,3 kW tot V +/- 20V V GES I 400 800 A FRM ISOL min. typ. max 2,6 3 sat - 3,1 3 4,5 5,5 6,5 V GE(th) Q 4,8 µ ies C 1,3 nF res CES - 400 nA GES FF400R17KF6CB2 ...

Page 2

... E - 180 - mWs 150 - mWs off I - 1600 - sCE CC´+EE´ min. typ. max 2,1 2 2,1 2 300 - 370 - µ 145 - µ mWs rec - 75 - mWs FF400R17KF6CB2 ...

Page 3

... Zweig / per arm pro Modul / per module d 100µ 100µm Paste grease terminals M4 terminals M8 3(8) min. typ. max 0,038 K/W thJC - - 0,068 K/W R 0,016 K/W thCK - 0,008 K/W R thCK 150 ° -40 - 125 ° -40 - 125 °C stg AlN 275 1050 g FF400R17KF6CB2 ...

Page 4

... FF 400 R 17 KF6C 15V GE 1,5 2,0 2,5 3,0 3 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 V [ 4,0 4,5 5 125°C vj 4,0 4,5 5,0 FF400R17KF6CB2 ...

Page 5

... Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) Forward characteristic of inverse diode (typical) 900 800 700 600 500 400 300 200 100 0 0,0 0,5 FF 400 R 17 KF6C 25° 125° [V] GE Tvj = 25°C Tvj = 125°C 1,0 1,5 V [ 20V 2,0 2,5 3,0 FF400R17KF6CB2 ...

Page 6

... Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical) 800 Eoff 700 Eon Erec 600 500 400 300 200 100 400 R 17 KF6C off 2 =3 gon goff CE 300 400 500 600 I [ off I = 400A , V = 900V , 6( rec C = 900V 125°C j 700 800 900 = rec G = 125° FF400R17KF6CB2 ...

Page 7

... (t) thJC Zth:Diode Zth:IGBT 0 [sec 3,64 17,97 7,6 0,003 0,05 0,1 6,7 36,44 12,44 0,003 0,045 0, 3,6 Ohm 600 800 1000 1200 1400 V [ (8) vorläufige Daten preliminary data 10 100 4 8,78 0,95 12,42 0,75 = 125°C vj 1600 1800 FF400R17KF6CB2 ...

Page 8

... Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Äußere Abmessungen / external dimensions FF 400 R 17 KF6C B2 8(8) FF400R17KF6CB2 ...

Page 9

Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. ...

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