FF401R17KF6C_B2 Infineon Technologies, FF401R17KF6C_B2 Datasheet

FF401R17KF6C_B2

Manufacturer Part Number

FF401R17KF6C_B2

Description

IGBT Modules N-CH 1.7KV 650A

Manufacturer

Infineon Technologies

Datasheet

1.FF401R17KF6C_B2.pdf (9 pages)

Specifications of FF401R17KF6C_B2

Configuration

Dual

Collector- Emitter Voltage Vceo Max

1700 V

Collector-emitter Saturation Voltage

2.6 V

Continuous Collector Current At 25 C

650 A

Gate-emitter Leakage Current

400 nA

Power Dissipation

3.1 KW

Maximum Operating Temperature

+ 125 C

Maximum Gate Emitter Voltage

+/- 20 V

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Mounting Style

Screw

Package / Case

IHM

Ic (max)

401.0 A

Vce(sat) (typ)

2.7 V

Technology

IGBT2 Low Loss

Housing

IHV 73 mm

Available stocks

Company

Part Number

Manufacturer

Quantity

Price

Company:

Bonase Electronics (HK) Co., Limited

Part Number:

FF401R17KF6C_B2

Manufacturer:

VICOR

Quantity:

1 000

Company:

Meier Automation Equipment Co., Limited

Part Number:

FF401R17KF6C_B2

Manufacturer:

INFINEON/英飞凌

Quantity:

20 000

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Kollektor-Emitter-Sperrspannung

collector-emitter voltage

Kollektor-Dauergleichstrom

DC-collector current

Periodischer Kollektor Spitzenstrom

repetitive peak collector current

Gesamt-Verlustleistung

total power dissipation

Gate-Emitter-Spitzenspannung

gate-emitter peak voltage

Dauergleichstrom

DC forward current

Periodischer Spitzenstrom

repetitive peak forw. current

Grenzlastintegral der Diode

Isolations-Prüfspannung

insulation test voltage

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung

collector-emitter saturation voltage

Gate-Schwellenspannung

gate threshold voltage

Gateladung

gate charge

Eingangskapazität

input capacitance

Rückwirkungskapazität

reverse transfer capacitance

Kollektor-Emitter Reststrom

collector-emitter cut-off current

Gate-Emitter Reststrom

gate-emitter leakage current

prepared by: Alfons Wiesenthal

approved by: Christoph Lübke; 12.04.2001

IGBT-Module

IGBT-Modules

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Charakteristische Werte / Characteristic values

Transistor / Transistor

Technische Information / Technical Information

t - value, Diode

RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.

f = 1MHz,T

date of publication:28.03.2001

revision: 2 (preliminary)

FF 401 R 17 KF6C B2

= 1 ms, T

= 1 ms

=25°C, Transistor

= 400A, V

= 30mA , V

= 25°C

= 80 °C

= 25 °C

= 0V, t

= -15V ... +15V

= 1700V, V

= 0V, V

= 10ms, T

= 25°C,V

= 80°C

= 20V, T

= 15V, T

= V

= 0V, T

1(8)

, T

= 125°C

= 25V, V

= 25°C

= 125°C

= 25°C

= 0V

C,nom.

CRM

CE sat

GE(th)

FRM

CES

GES

ISOL

CES

GES

ies

res

tot

vorläufige Daten

preliminary data

min.

4,5

+/- 20V

1700

typ.

400

650

800

400

800

3,1

2,6

3,1

5,5

4,8

1,3

max.

FF401R17KF6CB2_V.xls

400

3,1

3,6

6,5

µC

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Page 1

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Dauergleichstrom ...

Page 2

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Charakteristische Werte / Characteristic values Transistor / Transistor Einschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn on delay time (inductive load) Anstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load) Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn off delay time (inductive load) ...

Page 3

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Betriebstemperatur operation temperature Lagertemperatur storage temperature Mechanische Eigenschaften / Mechanical ...

Page 4

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Ausgangskennlinie (typisch) Output characteristic (typical) 900 800 Tvj = 25°C 700 Tvj = 125°C 600 500 400 300 200 100 0 0,0 0,5 1,0 Ausgangskennlinienfeld (typisch) Output characteristic (typical) 900 800 vGE = ...

Page 5

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Übertragungscharakteristik (typisch) Transfer characteristic (typical) 900 800 700 600 500 400 300 200 100 Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) Forward characteristic of inverse diode (typical) 900 800 700 600 500 ...

Page 6

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical) 900 Eoff 800 Eon Erec 700 600 500 400 300 200 100 0 0 100 200 Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical) 600 Eoff Eon 500 Erec 400 300 ...

Page 7

Technische Information / Technical Information IGBT-Module FF 401 R 17 KF6C B2 IGBT-Modules Transienter Wärmewiderstand Transient thermal impedance 0,1 0,01 0,001 0,001 0, [K/kW] : IGBT i J [sec] : IGBT i r [K/kW] : Diode i J ...

Page 8

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Äußere Abmessungen / external dimensions screwing depth max. 16 E1/ 5,5 2,8x0,5 7 26,4 27,15 FF 401 R 17 KF6C B2 9,75 for C2/E1 C2/E1 ...

Page 9

Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. ...

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