T1851N70TOH Infineon Technologies, T1851N70TOH Datasheet - Page 2

• Manufacturer Part Number: T1851N70TOH
• Description: SCR Modules NETZ-THYRISTOR PHASE CONTROL
• Manufacturer: Infineon Technologies

Specifications of T1851N70TOH

• Rated Repetitive Off-state Voltage Vdrm: 7000 V
• Off-state Leakage Current @ Vdrm Idrm: 500 mA
• Holding Current (ih Max): 350 mA
• Package / Case: T-12026K
• Breakover Current Ibo Max: 50000 A
• Gate Trigger Current (igt): 350 mA
• Gate Trigger Voltage (vgt): 2.5 V
• Repetitive Peak Forward Blocking Voltage: 7000 V

BIP AM / SM PB, 2001-04-09, Przybilla J. / Keller
N
Phase Control Thyristor
Gewicht
weight
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpresskraft
clamping force
Steueranschlüsse
control terminals
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
Netz-Thyristor
Mechanische Eigenschaften
Datenblatt / Data sheet
Thermische Eigenschaften
T 1851N
f = 50 Hz
T
v
dv
4.Kennbuchstabe / 4
T
i
V
T
i
V
DIN 46244
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
TM
TM
RM
vj
vj
vj
R
R
D
= T
= T
= T
= I
= 0,5V
= I
= 0,5V
/dt = 20 V/µs, -di
= 100 V, v
TAVM
TAVM
vj max
vj max
vj max
, -di
RRM
, -di
RRM
, i
TM
, V
, V
T
T
DM
/dt = 10 A/µs
/dt = 10 A/µs
= I
RM
RM
Kathode /Cathode
Gate
= 0,67 V
TAVM
= 0,8V
= 0,8V
T
th
/dt = 10 A/µs
letter O
RRM
RRM
DRM
R
R
T
T
T
G
t
Q
I
F
q
RM
vj max
c op
stg
thJC
thCH
r
Seite/page
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
typ.
typ.
A 4,8x0,8
A 6,3x0,8
-40...+125 °C
-40...+150 °C
0,0065
0,006
0,011
0,013
0,002
0,004
Seite 3
page 3
45...65
1500 g
600
280
125 °C
12
33 mm
50 m/s²
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
µs
mAs
A
kN
2/9