FD1200R17KE3-K Infineon Technologies, FD1200R17KE3-K Datasheet - Page 3

• Manufacturer Part Number: FD1200R17KE3-K
• Description: IGBT Modules N-CH 1.7KV 1.6KA
• Manufacturer: Infineon Technologies

Specifications of FD1200R17KE3-K

• Channel Type: N
• Collector-emitter Voltage: 1.7kV
• Gate To Emitter Voltage (max): ±20V
• Mounting: Screw
• Operating Temperature (min): -40C
• Operating Temperature (max): 125C
• Operating Temperature Classification: Automotive
• Configuration: Single Dual Collector Dual Emitter
• Collector- Emitter Voltage Vceo Max: 1700 V
• Continuous Collector Current At 25 C: 1600 A
• Maximum Operating Temperature: + 125 C
• Maximum Gate Emitter Voltage: +/- 20 V
• Minimum Operating Temperature: - 40 C
• Mounting Style: Screw
• Package / Case: IHM130
• Ic (max): 1,200.0 A
• Vce(sat) (typ): 2.0 V
• Technology: IGBT3
• Housing: IHM 130 mm
• Lead Free Status / RoHS Status: Not Compliant

Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
Modul / module
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine
Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but guarantees no characteristics.
It is valid with the appropriate technical explanations.
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