RB160M-30 Rohm Semiconductor, RB160M-30 Datasheet
RB160M-30
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RB160M-30 Summary of contents
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... A FSM °C Tj 125 −40~125 °C Tstg Symbol Min. Typ. − V 0.390 F1 − V 0.430 F2 − I 3.0 R1 − I 9.0 R2 RB160M-30 CATHODE MARK 0.1 0.9±0.1 0.1± 0.05 1.6±0.1 0.80±0.1 ∗ Max. Unit Conditions =0.5A 0.460 =1.0A 0.480 µA =15V µA ...
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... 0 D 0.2 T =15V V R Tj=125°C 0 100 125 CASE TEMPERATURE : Tc (°C) Fig.5 Derating Curve (I -Tc) O RB160M-30 1000 f=1MHz Ta=25°C 100 REVERSE VOLTAGE : V (V) R Fig.3 Capacitance Between Terminals Characteristics 100 Ta=25°C 8.3ms 8.3ms 1cyc 100 N (Cyc.) Fig.6 Rev.A 2/2 ...
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