RB160M-30 Rohm Semiconductor, RB160M-30 Datasheet

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RB160M-30

Manufacturer Part Number
RB160M-30
Description
Manufacturer
Rohm Semiconductor
Datasheet

Available stocks

Company
Part Number
Manufacturer
Quantity
Price
Part Number:
RB160M-30
Manufacturer:
ROHM
Quantity:
5 321
Part Number:
RB160M-30
Manufacturer:
ROHM
Quantity:
54 000
Part Number:
RB160M-30
Manufacturer:
ROHM
Quantity:
5 800
Part Number:
RB160M-30
Manufacturer:
ROHM/罗姆
Quantity:
20 000
Part Number:
RB160M-30
Manufacturer:
ROHM
Quantity:
4 646
Company:
Part Number:
RB160M-30
Quantity:
1 400
Part Number:
RB160M-30 TR
Manufacturer:
ROHM
Quantity:
2 341
Part Number:
RB160M-30 TR
Manufacturer:
ROHM
Quantity:
14 766
Part Number:
RB160M-30-TR
Manufacturer:
ROHM
Quantity:
2 270
Part Number:
RB160M-30TR
Manufacturer:
ROHM/罗姆
Quantity:
20 000
Part Number:
RB160M-30TR
Manufacturer:
ROHM
Quantity:
7 196
Part Number:
RB160M-30TR
0
Company:
Part Number:
RB160M-30TR
Quantity:
2 950
Company:
Part Number:
RB160M-30TR
Quantity:
33 000
Part Number:
RB160M-30ZDTR
Manufacturer:
ROHM/罗姆
Quantity:
20 000
ダイオード
ショットキーバリアダイオード
RB160M-30
一般整流用
1) 小型パワーモールドタイプ (PMDU)。
2) 高信頼度。
3) 低 V
シリコンエピタキシャルプレーナ型
∗ ガラスエポキシ基板実装時。180° Half sine wave.
∗取り扱い上静電気には、ご注意下さい
尖頭逆方向電圧
直流逆方向電圧
平均整流電流
尖頭順サージ電流 (60Hz・1cyc.)
接合部温度
保存温度
順方向電圧
逆方向電流
用途
特長
構造
絶対最大定格 (Ta=25°C)
電気的特性 (Ta=25°C)
F
Parameter
Parameter
Symbol
Symbol
Tstg
V
I
V
V
I
I
V
FSM
Tj
I
R1
R2
RM
O
F1
F2
R
−40~125
Min.
Limits
125
30
30
30
1
0.390
0.430
Typ.
3.0
9.0
ROHM : PMDU
EIAJ : −
JEDEC : SOD-123
外形寸法図 (Unit : mm)
Unit
°C
°C
V
V
A
A
0.460
0.480
Max.
20
50
1.6±0.1
0.9±0.1
CATHODE MARK
Unit
µA
µA
V
V
0.80±0.1
I
I
V
V
F
F
=0.5A
=1.0A
R
R
=15V
=30V
Rev.A
RB160M-30
0.1±
Conditions
0.1
0.05
1/2

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RB160M-30 Summary of contents

Page 1

... A FSM °C Tj 125 −40~125 °C Tstg Symbol Min. Typ. − V 0.390 F1 − V 0.430 F2 − I 3.0 R1 − I 9.0 R2 RB160M-30 CATHODE MARK 0.1 0.9±0.1 0.1± 0.05 1.6±0.1 0.80±0.1 ∗ Max. Unit Conditions =0.5A 0.460 =1.0A 0.480 µA =15V µA ...

Page 2

... 0 D 0.2 T =15V V R Tj=125°C 0 100 125 CASE TEMPERATURE : Tc (°C) Fig.5 Derating Curve (I -Tc) O RB160M-30 1000 f=1MHz Ta=25°C 100 REVERSE VOLTAGE : V (V) R Fig.3 Capacitance Between Terminals Characteristics 100 Ta=25°C 8.3ms 8.3ms 1cyc 100 N (Cyc.) Fig.6 Rev.A 2/2 ...

Page 3

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