TD425N Infineon Technologies, TD425N Datasheet - Page 7

• Manufacturer Part Number: TD425N
• Manufacturer: Infineon Technologies

Specifications of TD425N

• Vdrm/ Vrrm (v): 1,200.0 - 1,800.0 V
• Itsm: 12,500.0 A
• Itavm/tc: 425/85 (180° el sin)
• Housing: PowerBLOCK 60 mm
• Features: SCR Diode Phase Control

Phase Control Thyristor Module
BIP AC / 28 Oct 1994, A.Rüther
N
140
120
100
140
120
100
Netz-Thyristor-Modul
80
60
40
20
80
60
40
20
0
0
Rechteckförmiger Strom / Rectangular current
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T
Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current
100
Calculation base P
Calculation base P
Berechnungsgrundlage P
Berechnungsgrundlage P
100
Gehäusetemperatur bei Rechteck
Gehäusetemperatur bei Sinus
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
200
Q = 30°
Datenblatt / Data sheet
TAV
TAV
Q = 30°
200
(switching losses should be considered separately)
(switching losses should be considered separately)
300
A 62/94
60°
TAV
TAV
(Schaltverluste gesondert berücksichtigen)
(Schaltverluste gesondert berücksichtigen)
TT425N
I
TAVM
Strombelastung je Zweig / Current load per arm
400
90°
I
Strombelastung je Zweig / Current load per arm
TAVM
300
[A]
60°
120°
[A]
500
90°
180°
400
600
0°
0°
120°
C
C
= f(I
= f(I
700
500
Seite/page
180°
TAVM
TAVM
0
0
)
)
800
DC
180°
180°
7/12
600