DT150N Infineon Technologies, DT150N Datasheet - Page 9

• Manufacturer Part Number: DT150N
• Manufacturer: Infineon Technologies

Specifications of DT150N

• Vdrm/ Vrrm (v): 2,600.0 V
• Itsm: 4,000.0 A
• Itavm/tc: 150/85 (180° el sin)
• Housing: PowerBLOCK 50 mm
• Features: Diode / SCR Phase Control

Phase Control Thyristor Module
BIP AC / Warstein,den 18.01.88 Spec
N
1000
800
600
400
200
3000
2500
2000
1500
1000
Netz-Thyristor-Modul
0
500
0
0
0
0,05
0,06
0,08
0,12
0,04
0,10
0,30
0,15
0,20
0,25
0,40
0,50
0,60
0,80
Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient R
0,015
0,060
0,040
0,050
0,080
0,100
0,120
0,150
0,200
0,250
0,300
0,400
0,020
0,030
Wärmewiderstand zwischen den Gehäuse und Umgebung / Thermal resistance case to ambient R
20
20
40
W3C - Dreiphasen-Wechselwegschaltung / Three-phase inverse parallel circuit
W1C - Einphasen-Wechselwegschaltung / Single-phase inverse parallel circuit
40
Maximaler Strom bei W1C und W3C
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P
T
A
Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current I
Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current I
[°C]
R
thCA
60
60
[°C/W]
R
T
A
Datenblatt / Data sheet
thCA
[°C]
[°C/W]
80
80
~
~
A513MT3
100
W 3C
100
~
~
W 1C
~
~
~
~
I
RMS
I
RMS
Parameter:
Parameter:
TT150N
120
120
0
0
100
100
200
200
I
RMS
RMS
RMS
300
[A]
tot
tot
300
I
RMS
Seite/page
[A]
400
thCA
400
thCA
500
9/12
500