DZ950N Infineon Technologies, DZ950N Datasheet - Page 6

• Manufacturer Part Number: DZ950N
• Manufacturer: Infineon Technologies

Specifications of DZ950N

• Vdrm/ Vrrm (v): 3,600.0 - 4,400.0 V
• Ifsm (max): 29,000.0 A
• Ifavm/tc: 950/100 (180° el sin)
• Housing: PowerBLOCK 70 mm
• Features: Rectifier Diode

BIP AM / 00-09-28, K.-A. Rüther
N
Rectifier Diode Module
160
140
120
100
2200
2000
1800
1600
1400
1200
1000
Netz-Dioden-Modul
80
60
40
20
800
600
400
200
Diagramme
0
0
0
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T
Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm P
Calculation base P
Berechungsgrundlage P
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle Θ
400
Datenblatt / Data sheet
400
Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Durchgangsverluste
Gehäusetemperatur
Θ = 60 ° rec
TAV
Θ = 60 ° rec
(switching losses should be considered separately)
A22/00
TAV
DZ950N
Diagramme
(Schaltverluste gesondert berücksichtigen)
800
120 ° rec
120 ° rec
800
180 ° sin
180 ° sin
I
FAV
I
[A]
FAVM
180 ° rec
[A]
180 ° rec
1200
1200
FAV
= f(I
C
FAV
= f(I
)
Seite/page
FAVM
)
DC
DC
1600
1600
6/9