T348N Infineon Technologies, T348N Datasheet - Page 2

• Manufacturer Part Number: T348N
• Manufacturer: Infineon Technologies

Specifications of T348N

• Vdrm/ Vrrm (v): 200.0 - 600.0 V
• Itsm: 4,000.0 A
• Itavm: 348 (180 ° el sin)
• Housing: Disc dia 41mm height 14mm
• Configuration: Phase Control Thyristors / SCR

A 513 MT3 / 15.07.87, K.-A. Rüther
N
Phase Control Thyristor
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpresskraft
clamping force
Steueranschlüsse
control terminals
Gewicht
weight
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
Netz-Thyristor
Mechanische Eigenschaften
Datenblatt / Data sheet
Thermische Eigenschaften
A 23/87
T348N
f = 50 Hz
T
v
dv
4.Kennbuchstabe / 4
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, θ = 180°sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, θ = 180°sin
Kathode / cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sides
einseitig / single-sides
RM
vj
D
= T
/dt = 20 V/µs, -di
= 100 V, v
vj max
, i
TM
DM
= I
Kathode / cathode
= 0,67 V
TAVM
T
th
/dt = 10 A/µs
letter O
DRM
Gate
R
R
T
T
T
G
t
F
q
vj max
c op
stg
thJC
thCH
Seite/page
typ.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
typ.
A 2,8 x 0,8
A 2,8 x 0,8
-40...+140 °C
-40...+140 °C
Seite 3
page 3
2,5...5
200
0,100
0,092
0,180
0,170
0,213
0,205
0,015
0,030
140 °C
70 g
17 mm
50 m/s²
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
kN
2/10
µs