T878N Infineon Technologies, T878N Datasheet - Page 2

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T878N

Manufacturer Part Number
T878N
Description
Manufacturer
Infineon Technologies
Datasheet

Specifications of T878N

Vdrm/ Vrrm (v)
1,200.0 - 1,800.0 V
Itsm
15,500.0 A
Itavm
879 (180 ° el sin)
Housing
Disc dia 60mm height 14mm
Configuration
Phase Control Thyristors / SCR

Available stocks

Company
Part Number
Manufacturer
Quantity
Price
Part Number:
T878N18TOF
Manufacturer:
EUPEC/Infineon
Quantity:
1 000
Part Number:
T878N18TOF
Quantity:
43
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Elektrische Eigenschften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
circuit commutatet turn-off time
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resitance, junction to case
Übergangs- Wärmewiderstand
thermal resitance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpreßkraft
clamping force
Gewicht
weight
Kriechstrecke
creepage distance
Feuchteklasse
humidity classification
Schwingfestigkeit
vibration resistance
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but
promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
SZ-M / 11.05.99, K.-A.Rüther
Technische Information / Technical Information
T 878 N 12...18
A
T
v
dv
4. Kennbuchstabe / 4th letter O
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, Ž=180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, Ž=180°sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, Ž=180°sin
Kathode / cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
DIN 40040
f = 50Hz
RM
vj
D
= T
/dt = 20 V/µs, -di
=100V, v
vj max
, i
TM
DM
=I
= 0,67 V
TAVM
T
/dt = 10 A/µs
DRM
t
R
R
T
T
T
F
G
q
vj max
c op
stg
thJC
thCK
Seite/page 2
typ.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
typ.
N
-40...150
-40...125
Seite 3
page 3
10,5 ...21
0,0320
0,0300
0,0537
0,0511
0,0816
0,0732
0,0050
0,0100
250
125
160
17
50
C
µs
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C
°C
°C
kN
g
mm
m/s²

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