D970N Infineon Technologies, D970N Datasheet

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D970N

Manufacturer Part Number
D970N
Description
Manufacturer
Infineon Technologies
Datasheet

Specifications of D970N

Vrrm (max)
400.0 - 800.0 V
Ifsm (max)
8,800.0 A
Ifavm/tc
972/100 (180 ° el sin)
Housing
Disc dia 42mm height 14mm / Ceramic
Features
Rectifier Diodes
N
IFBIP D AEC, 2010-01-20, H.Sandmann
Netz-Gleichrichterdiode
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
1) 800V auf Anfrage / 800V on request
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Durchlaßstrom-Effektivwert
RMS on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Grenzlastintegral
I²t-value
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltages
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Durchlaßkennlinie
on-state characteristic
Sperrstrom
reverse current
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
approved by: M.Leifeld
prepared by: H.Sandmann
v
Kenndaten
Elektrische Eigenschaften
F
Rectifier Diode
A
B
i
F
200 A ≤ i
C
ln
i (
F
≤ 4000 A
F
Datenblatt / Data sheet
Thermische Eigenschaften
1
)
D
i
F
D970N
A 11/10
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, θ = 180°sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, θ = 180°sin
Kathode / cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
vj
C
C
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
= -40°C... T
= 100 °C
= 55 °C, θ = 180°sin, t
= 25 °C, t
= T
= 25 °C, t
= T
= T
= T
= T
= T
= T
= T
date of publication:
vj max
vj max
vj max
vj max
vj max
vj max
vj max
vj max
, t
, i
, i
, v
t
P
P
P
F
F
P
R
= 10 ms
= 10 ms
= 10 ms
revision:
= 2,3 kA
= 750 A
= 10 ms
vj max
= V
RRM
P
2010-01-25
= 10 ms
3.1
V
I
I
I
I
I
I²t
v
V
r
i
R
R
T
T
T
FRMSM
FAVM
FAVM
FRMS
FSM
R
T
F
vj max
c op
stg
RRM
(TO)
thJC
thCH
A=
B=
C=
D=
Seite/page
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
4,891E-01
1,323E-04
2,391E-03
1,340E-02
-40...+180 °C
-40...+180 °C
530,45
10300
387,2
0,057
0,053
0,094
0,090
0,134
0,130
0,015
0,030
1245 A
1300 A
2040 A
8800
1,45
0,97
0,31 mΩ
400
600
800
970 A
180 °C
0,7 V
20 mA
V
V
V
A
A
10³A²s
10³A²s
V
V
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
1/8
1)

Related parts for D970N

D970N Summary of contents

Page 1

... Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Betriebstemperatur operating temperature Lagertemperatur storage temperature 1) 800V auf Anfrage / 800V on request prepared by: H.Sandmann approved by: M.Leifeld IFBIP D AEC, 2010-01-20, H.Sandmann D970N T = -40°C... max T = 100 ° °C, θ = 180°sin ° ...

Page 2

... Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen. This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics valid in combination with the belonging technical notes. IFBIP D AEC, 2010-01-20, H.Sandmann D970N Mechanische Eigenschaften 11/10 Seite 3 ...

Page 3

... N Datenblatt / Data sheet Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode Maßbild Maßbild 1 IFBIP D AEC, 2010-01-20, H.Sandmann D970N 1: Anode Kathode/ A 11/10 Anode Cathode Seite/page 3/8 ...

Page 4

... Analytische Funktion / Analytical function: 0,14 0,12 0,10 0,08 0,06 0,04 0,02 0,00 0,001 0,01 Transienter innerer Wärmewiderstand fü Transient thermal impedance for DC IFBIP D AEC, 2010-01-20, H.Sandmann D970N 0,00359 0,00447 0,00156 0,01010 0,00359 0,00447 0,00156 0,01010 0,00359 0,00447 0,00156 0,01010 0 f(t) thJC a - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling b - Beidseitige Kü ...

Page 5

... Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic i IFBIP D AEC, 2010-01-20, H.Sandmann D970N ∆Z / ∆Z th Θ rec th Θ sin Θ = 180° Θ = 120° 0,00901 0,01554 0,00361 0,00598 0,00448 0,00759 0,00334 0,00489 0,00448 ...

Page 6

... Durchlassverlustleistung / On-state power loss P 180 160 140 120 100 200 Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T IFBIP D AEC, 2010-01-20, H.Sandmann D970N Durchlassverluste 400 600 I [A] FAV Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling Tc beidseitig 400 ...

Page 7

... Typische Abhängigkeit des Grenzstromes I Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung V Typical dependency of maximum overload on-state current I sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage V IFBIP D AEC, 2010-01-20, H.Sandmann D970N Qr Diagramm 1 Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Q =f(-di/dt ≤ 0,5 V ...

Page 8

... If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers. Changes of this product data sheet are reserved. IFBIP D AEC, 2010-01-20, H.Sandmann D970N A 11/10 Seite/page 8/8 ...

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