D2650N Infineon Technologies, D2650N Datasheet
D2650N
Specifications of D2650N
Related parts for D2650N
D2650N Summary of contents
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... Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Betriebstemperatur operating temperature Lagertemperatur storage temperature prepared by: H.Sandmann approved by: M.Leifeld IFBIP D AEC / 2009-05-12, H.Sandmann D2650N T = -40°C... max T = 100 ° °C, θ = 180°sin =25 ° ...
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... Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen. This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics valid in combination with the belonging technical notes. IFBIP D AEC / 2009-05-12, H.Sandmann D2650N Mechanische Eigenschaften 20/09 Seite 3 ...
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... N Datenblatt / Data sheet Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode Maßbild Maßbild 1 IFBIP D AEC / 2009-05-12, H.Sandmann D2650N 1: Anode Kathode/ A 20/09 Anode Cathode Seite/page 3/8 ...
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... Analytische Funktion / Analytical function: 0,04 0,03 0,02 0,01 0,00 0,001 0,01 Transienter innerer Wärmewiderstand fü Transient thermal impedance for DC IFBIP D AEC / 2009-05-12, H.Sandmann D2650N 0,000037 0,000393 0,00138 0,000204 0,001180 0,01030 0,000042 0,000578 0,00184 0,000193 0,001660 0,01610 0,000042 0,000578 0,00184 0,000193 0,001660 0,01610 ...
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... Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic i IFBIP D AEC / 2009-05-12, H.Sandmann D2650N ∆Z / ∆Z th Θ rec th Θ sin Θ = 180° Θ = 120° 0,00136 0,00219 0,00088 0,00123 0,00448 0,00759 0,00334 0,00489 0,00448 ...
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... Durchlassverlustleistung / On-state power loss P 180 160 140 120 100 500 1000 Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T IFBIP D AEC / 2009-05-12, H.Sandmann D2650N Durchlassverluste 1500 2000 2500 I [A] FAV Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling Tc beidseitig ...
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... Typische Abhängigkeit des Grenzstromes I Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung V Typical dependency of maximum overload on-state current I sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage V IFBIP D AEC / 2009-05-12, H.Sandmann D2650N Qr Diagramm 1 Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Q =f(-di/dt ≤ 0,5 V ...
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... If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers. Changes of this product data sheet are reserved. IFBIP D AEC / 2009-05-12, H.Sandmann D2650N A 20/09 Seite/page 8/8 ...