D56S Infineon Technologies, D56S Datasheet - Page 2

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D56S

Manufacturer Part Number
D56S
Description
Manufacturer
Infineon Technologies
Datasheet

Specifications of D56S

Vrrm (max)
4,500.0 V
Ifsm (max)
1,350.0 A
Ifavm/tc
56/85 (180 ° el sin)
Housing
SW27 M12
Configuration
Fast Rectifier Diodes
1)
2)
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert / RMS forward current
Dauergrenzstrom / mean forward current
Stoßstrom-Grenzwert
surge forward current
Grenzlastintegral
I²t-value
Durchlaßspannung / forward voltage
Schleusenspannung / threshold voltage
Ersatzwiderstand / forward slope resistance
Spitzenwert der Durchlaßverzögerungsspannung
peak value of forward recovery voltage
Durchlaßverzögerungszeit
forward recovery time
Sperrstrom / reverse current
Rückstromspitze / peak reverse recovery current
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Sperrverzögerungszeit
reverse recovered time
Sanftheit
Softness
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzul. Sperrschichttemp./ max.junction temperat.
Betriebstemperatur / operating temperature
Lagertemperatur / storage temperature
Si-Elemente mit Druckkontakt / Si-pellets with pressure contact
Anzugsdrehmoment / tightening torque
Gewicht / weight
Kriechstrecke / creepage distance
Feuchteklasse / humidity classification
Schwingfestigkeit / vibration resistance
Kühlkörper / heatsink : K1, 1-M12-A ; K0,55-M12-A ; GK-M12-A
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the
belonging technical notes.
MA 1-BE / 12 Jul 1993
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Charakteristische Werte / Characteristic values
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Richtwert für obere Streubereichsgrenze / Upper limit of scatter range (standard value)
Richtwert für untere Streubereichsgrenze / Lower limit of scatter range (standard value)
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
IEC 747-2
t
di
IEC 747-2, Methode / method II
t
di
t
t
DIN IEC 747-2, t
i
V
DIN IEC 747-2, t
i
V
DIN IEC 747-2, t
i
V
DIN IEC 747-2, t
i
V
Kühlfläche / cooling surface
Anode / anode, =180°sin
Anode / anode, DC
Kühlfläche / cooling surface
einseitig / single-sided
Durchmesser/diameter 21mm
DIN 40040
f = 50 Hz
FM
FM
FM
FM
vj
vj
C
C
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
R
R
R
R
=t
F
F
= 25°C, t
= 25°C, t
= -10°C...t
= +25°C...t
= 85°C
= 28°C
= t
= t
= t
= t
= t
= t
= t
= t
/dt = 200 A/µs v
/dt = 200 A/µs v
=150A, -di
=0,5V
=0,5V
=0,5V
=0,5V
= 150A, -di
= 150A, -di
= 150A, -di
vj max,
vj max,
vj max,
vj max
vj max
vj max
vj max
vj
vj max
25°C, v
RRM
RRM
RRM
RRM
i
, i
FM
, v
t
t
p
p
p
p
F
=di
=10 ms
=10 ms
, v
, v
, v
, v
R
= 10 ms
= 10 ms
vj max
= 320 A
vj max
F
= V
/dt=200A/µs
F
F
F
R
RM
RM
RM
RM
F
/dt = 200 A/µs
/dt = 200 A/µs
/dt = 200 A/µs
/dt*t
= V
Vj
Vj
Vj
Vj
=0,8V
=0,8V
=0,8V
=0,8V
RRM
=t
=t
=t
=t
R
R
fr
RRM
Vj max
Vj max
Vj max
Vj max
= 0V
= 0V
RRM
RRM
RRM
RRM
V
V
I
I
I
I²t
V
V
r
V
t
i
I
Q
t
SR
R
R
t
t
t
M
G
R
FRMSM
FAVM
FSM
fr
RM
rr
vj max
c op
stg
T
RRM
RSM
F
(TO)
FRM
thJC
thCK
r
D 56 S 40...45
max. 0,260 °C/W
max. 0,245 °C/W
-40...+125 °C
-40...+150 °C
max. 0,04 °C/W
max. 4,5 V
typ. 110 g
max. 50 mA
max. 5 mA
12000 A²s
0,004 µs/A
4000 V
4500 V
4100 V
4600 V
1550 A
1350 A
9100 A²s
1,64 V
160 A
102 A
200 V
230 A
550 µAs
125 °C
3,3 µs
56 A
20 Nm
21 mm
50 m/s²
C
8 m
4 µs
1)
1)
1)
1)
1)
2)

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