56DN06 Infineon Technologies, 56DN06 Datasheet

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56DN06

Manufacturer Part Number
56DN06
Description
Manufacturer
Infineon Technologies
Datasheet

Specifications of 56DN06

Vrrm (max)
600.0 V
Ifsm (max)
70,000.0 A
Ifavm/tc
6400/116 (180 ° el sin)
Housing
Disc dia 56mm height 5,1mm
Configuration
Rectifier Diodes / Welding Diodes
IFBIP D AEC / 2011-02-17, H.Sandmann
N
Netz-Gleichrichterdiode
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Grenzlastintegral
I²t-value
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltages
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Durchlaßkennlinie
on-state characteristic
Sperrstrom
reverse current
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpreßkraft
clamping force
Gewicht
weight
Schwingfestigkeit
vibration resistance
v
Kenndaten
Elektrische Eigenschaften
F
Rectifier Diode
approved by: M.Leifeld
prepared by: H.Sandmann
A
B
i
F
2000 A ≤ i
C
ln
i (
F
F
≤ 32000 A
Datenblatt / Data sheet
Thermische Eigenschaften
1
)
D
i
F
A 05/11
56DN06
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
f = 50 Hz
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
vj
C
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
= -40°C... T
= 126 °C
= 25 °C, t
= Tvj max, t
= 25 °C, t
= Tvj max, t
= T
= T
= T
= T
= T
date of publication:
vj max
vj max
vj max
vj max
vj max
, i
, v
P
P
F
R
= 10 ms
= 10 ms
revision:
= 10 kA
vj max
= V
P
P
= 10 ms
= 10 ms
RRM
2011-02-17
3.0
V
I
I
I
I²t
v
V
r
i
R
R
T
T
T
R
FRMSM
FAVM
FSM
T
F
vj max
c op
stg
RRM
(TO)
thJC
thCH
C=
D=
A=
B=
G
F
Seite/page
max.
max.
max.
max.
max.
typ.
4,617E-01
2,002E-05
7,441E-03
4,190E-03
-40...+180 °C
-40...+180 °C
Seite 2
page 2
40...60 kN
0,0062
0,0055
0,0025 °C/W
10050 A
81000
70000
32800
24500
6400 A
1,15 V
0,04 mΩ
110 g
600 V
100 mA
180 °C
0,7 V
50 m/s²
A
A
10³A²s
10³A²s
°C/W
°C/W
1/7

Related parts for 56DN06

56DN06 Summary of contents

Page 1

... Gehäuse, siehe Anlage case, see annex Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact Anpreßkraft clamping force Gewicht weight Schwingfestigkeit vibration resistance prepared by: H.Sandmann approved by: M.Leifeld IFBIP D AEC / 2011-02-17, H.Sandmann 56DN06 T = -40°C... max T = 126 ° ° ...

Page 2

... N Datenblatt / Data sheet Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode Maßbild Hinweis: Wir empfehlen die Diode mit einem temperaturbeständigen O-Ring zu schützen. Notice: We recommended to protect the diode with a temperature resistant O-Ring. 1 IFBIP D AEC / 2011-02-17, H.Sandmann 56DN06 Maßbild 2 A 05/11 1: Anode/ Anode 2: Kathode/ Cathode Seite/page 2/7 ...

Page 3

... Analytische Funktion / Analytical function: 0,006 0,005 0,004 0,003 0,002 0,001 0,000 0,001 Transienter innerer Wärmewiderstand fü Transient thermal impedance for DC IFBIP D AEC / 2011-02-17, H.Sandmann 56DN06 0,000019 0,00032 0,001015 0,004146 0,000010 0,00145 0,014031 0,071000 0, f(t) thJC b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling A 05/11 fü ...

Page 4

... Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic i IFBIP D AEC / 2011-02-17, H.Sandmann 56DN06 ∆Z / ∆Z th Θ rec th Θ sin Θ = 180° Θ = 120° 0,00115 0,00181 0,00083 0,00114 Θ rec Θ ...

Page 5

... Durchlassverlustleistung / On-state power loss P 180 160 140 120 100 2000 Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T IFBIP D AEC / 2011-02-17, H.Sandmann 56DN06 Durchlassverluste 4000 6000 I [A] FAV Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling Tc beidseitig ...

Page 6

... Typische Abhängigkeit des Grenzstromes I Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung V Typical dependency of maximum overload on-state current I sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage V IFBIP D AEC / 2011-02-17, H.Sandmann 56DN06 Qr Diagramm Anzahl der Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen Number of pulses of 50Hz sinusoidal half waves von der Anzahl fü ...

Page 7

... If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers. Changes of this product data sheet are reserved. IFBIP D AEC / 2011-02-17, H.Sandmann 56DN06 A 05/11 Seite/page 7/7 ...

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