VEC2803 Sanyo Semiconductor Corporation, VEC2803 Datasheet - Page 3

• Manufacturer Part Number: VEC2803
• Description: Mosfet P-channel Silicon Mosfet Sbd Schottky Barrier Diode
• Manufacturer: Sanyo Semiconductor Corporation

Switching Time Test Circuit
[MOSFET]
--10V
--4.0
--3.5
--3.0
--2.5
--2.0
--1.5
--1.0
--0.5
P.G
220
200
180
160
140
120
100
80
60
40
0V
0
PW=10 s
D.C. 1%
0
0
V IN
--0.1
--2
--0.2
Drain-to-Source Voltage, V DS -- V
Gate-to-Source Voltage, V GS -- V
V IN
50
G
--0.3
R DS (on) -- V GS
--4
I D = --1.5A
--0.4
I D -- V DS
V DD = --15V
D
--0.5
--6
S
I D = --1.5A
R L =10
--0.6
VEC2803
--8
V OUT
--0.7
--0.8
[MOSFET]
[MOSFET]
--10
Ta=25 C
--0.9
IT07767
IT07769
--1.0
VEC2803
--12
t rr Test Circuit
[SBD]
Duty 10%
10 s
220
200
180
160
140
120
100
--5
--4
--3
--2
--1
80
60
40
20
--75
0
0
50
V DS = --10V
--50
--0.5
--25
--5V
Gate-to-Source Voltage, V GS -- V
Ambient Temperature, Ta -- C
100
0
--1.0
R DS (on) -- Ta
I D -- V GS
25
10
--1.5
50
75
--2.0
100
125
[MOSFET]
[MOSFET]
--2.5
No.8202-3/6
t rr
150
IT07768
IT09169
--3.0
175