VEC2803 Sanyo Semiconductor Corporation, VEC2803 Datasheet - Page 4

• Manufacturer Part Number: VEC2803
• Description: Mosfet P-channel Silicon Mosfet Sbd Schottky Barrier Diode
• Manufacturer: Sanyo Semiconductor Corporation

100
1.0
--10
1.0
10
1.0
0.9
0.8
0.6
0.4
0.2
10
--9
--8
--7
--6
--5
--4
--3
--2
--1
--0.1
--0.1
0
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
0
0
0
V DS = --10V
I D = --3A
V DD = --15V
V GS = --10V
20
2
2
2
Ambient Temperature, Ta -- C
40
Total Gate Charge, Qg -- nC
3
3
4
Drain Current, I D -- A
Drain Current, I D -- A
SW Time -- I D
t d (on)
V GS -- Qg
60
5
5
y
P D -- Ta
fs
6
7
7
80
--1.0
--1.0
-- I D
8
100
2
2
10
120
V DS = -- 10V
3
3
[MOSFET]
[MOSFET]
[MOSFET]
[MOSFET]
12
140
IT07771
IT07773
IT07775
IT09171
5
5
160
14
VEC2803
7
7
--0.001
--0.01
--0.01
1000
--1.0
--0.1
--1.0
--0.1
100
--10
--10
--0.01
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
--0.3
7
5
3
2
7
5
3
2
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
0
V GS =0
Ta=25 C
Single pulse
Mounted on a ceramic board (900mm
I DP = --12A
I D = --3A
2 3
--0.4
Ciss, Coss, Crss -- V DS
Operation in this
area is limited by R DS (on).
--5
5 7
Drain-to-Source Voltage, V DS -- V
Drain-to-Source Voltage, V DS -- V
Diode Forward Voltage, V SD -- V
--0.5
--0.1
--10
2 3
--0.6
I F -- V SD
A S O
5 7
--0.7
--15
--1.0
--0.8
2 3
--20
2
0.8mm)
5
--0.9
7
--10
<10 s
[MOSFET]
[MOSFET]
--25
[MOSFET]
No.8202-4/6
f=1MHz
--1.0
2
IT07772
IT07774
IT09170
3
--1.1
--30
5