PBSS306NX Philips Semiconductors, PBSS306NX Datasheet - Page 7

• Manufacturer Part Number: PBSS306NX
• Description: NPN low VCEsat (BISS) transistor
• Manufacturer: Philips Semiconductors

Philips Semiconductors
PBSS306NX_1
Product data sheet
Fig 5. DC current gain as a function of collector
Fig 7. Base-emitter voltage as a function of collector
(1) T
(2) T
(3) T
V
(1) T
(2) T
(3) T
h
(V)
FE
BE
600
400
200
1.2
0.8
0.4
0
0
10
10
V
current; typical values
V
current; typical values
amb
amb
amb
amb
amb
amb
CE
CE
1
1
= 2 V
= 2 V
= 100 C
= 25 C
= 55 C
= 55 C
= 25 C
= 100 C
1
1
(1)
(2)
(3)
(1)
(2)
(3)
10
10
10
10
2
2
10
10
006aaa637
006aaa638
3
3
I
I
C
C
(mA)
(mA)
10
10
Rev. 01 — 21 August 2006
4
4
Fig 6. Collector current as a function of
Fig 8. Base-emitter saturation voltage as a function of
V
(1) T
(2) T
(3) T
BEsat
(A)
(V)
I
C
1.2
0.8
0.4
14
12
10
8
6
4
2
0
0
10
100 V, 4.5 A NPN low V
T
collector-emitter voltage; typical values
I
collector current; typical values
C
0
amb
amb
amb
amb
/I
1
B
= 20
= 25 C
= 55 C
= 25 C
= 100 C
1
1
(1)
(2)
(3)
10
2
© Koninklijke Philips Electronics N.V. 2006. All rights reserved.
PBSS306NX
10
3
2
CEsat
I
B
(mA) = 500
10
(BISS) transistor
4
006aaa643
006aaa641
3
450
350
250
V
I
C
CE
(mA)
400
300
(V)
200
150
100
50
10
5
4
7 of 15