PBSS4140DPN NXP Semiconductors, PBSS4140DPN Datasheet - Page 5

• Manufacturer Part Number: PBSS4140DPN
• Description: 40 V low VCEsat NPN/PNP transistor
• Manufacturer: NXP Semiconductors

www.DataSheet.co.kr
Philips Semiconductors
2001 Dec 13
handbook, halfpage
handbook, halfpage
40 V low V
V CEsat
TR1 (NPN); V
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.2
TR1 (NPN); I
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.4
(mV)
1000
h FE
800
600
400
200
10
10
10
amb
amb
amb
amb
amb
amb
0
10
1
3
2
1
= 150 C.
= 25 C.
= 55 C.
= 150 C.
= 25 C.
= 55 C.
1
DC current gain as a function of collector
current; typical values.
Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
C
CE
/I
B
= 5 V.
= 10.
1
10
CEsat
(2)
10
NPN/PNP transistor
10
2
(3)
10
(1)
(1)
(2)
(3)
2
10
10
3
I C (mA)
3
I C (mA)
MLD642
MLD636
10
10
4
4
5
handbook, halfpage
handbook, halfpage
TR1 (NPN); V
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.3
R CEsat
TR1 (NPN); I
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.5
( )
V BE
10
10
(V)
10
10
10
amb
amb
amb
amb
amb
amb
10
10
1
1
1
2
1
= 55 C.
= 25 C.
= 150 C.
= 150 C.
= 25 C.
= 55 C.
1
1
Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values.
Equivalent on-resistance as a function of
collector current; typical values.
C
CE
/I
B
= 5 V.
= 10.
1
1
10
10
PBSS4140DPN
10
10
(1)
(2)
(3)
(1)
2
(2)
(3)
2
Product specification
10
10
3
3
I C (mA)
I C (mA)
MHC126
MLD635
10
10
4
4
Datasheet pdf - http://www.DataSheet4U.net/