PBSS8110Z Philips Semiconductors, PBSS8110Z Datasheet - Page 6

• Manufacturer Part Number: PBSS8110Z
• Description: NPN low VCEsat (BISS) transistor
• Manufacturer: Philips Semiconductors

Philips Semiconductors
9397 750 12568
Product data sheet
Fig 3. DC current gain as a function of collector
Fig 5. Collector-emitter saturation voltage as a
V
(mV)
(1) T
(2) T
(3) T
(1) T
(2) T
(3) T
h
CEsat
FE
600
400
200
10
10
10
0
10
3
2
10
V
current; typical values.
I
function of collector current; typical values.
C
amb
amb
amb
amb
amb
amb
CE
/I
1
1
B
= 10 V.
= 10.
= 100 C.
= 25 C.
= 55 C.
= 100 C.
= 25 C.
= 55 C.
1
1
10
10
(1)
(2)
(3)
(1)
(2)
(3)
10
10
2
2
10
10
001aaa504
001aaa497
3
3
I
I
C
C
(mA)
(mA)
10
10
Rev. 01 — 26 April 2004
4
4
Fig 4. Base-emitter voltage as a function of collector
Fig 6. Collector-emitter saturation voltage as a
V
(mV)
(mV)
(1) T
(2) T
(3) T
V
CEsat
1000
BE
800
600
400
200
10
10
10
10
3
2
10
V
current; typical values.
I
function of collector current; typical values.
C
amb
amb
amb
CE
/I
100 V, 1 A NPN low V
1
1
B
= 10 V.
= 20; T
= 55 C.
= 25 C.
= 100 C.
1
1
amb
= 25 C.
10
10
© Koninklijke Philips Electronics N.V. 2004. All rights reserved.
(1)
(2)
(3)
10
10
PBSS8110Z
2
2
CEsat
10
10
(BISS) transistor
001aaa505
001aaa495
3
3
I
I
C
C
(mA)
(mA)
10
10
4
4
6 of 12