PBSS9110Y Philips Semiconductors, PBSS9110Y Datasheet - Page 7

• Manufacturer Part Number: PBSS9110Y
• Description: PNP low VCEsat (BISS) transistor
• Manufacturer: Philips Semiconductors

Philips Semiconductors
9397 750 12844
Product data sheet
Fig 4. DC current gain as a function of collector
Fig 6. Collector-emitter saturation voltage as a
V
(1) T
(2) T
(3) T
(1) T
(2) T
(3) T
h
CEsat
(V)
10
10
FE
600
400
200
0
1
1
2
V
current; typical values.
I
function of collector current; typical values.
10
10
C
amb
amb
amb
amb
amb
amb
CE
/I
B
1
1
= 10 V.
= 10.
= 100 C.
= 25 C.
= 55 C.
= 100 C.
= 25 C.
= 55 C.
1
1
(1)
(2)
(3)
10
10
(1)
(2)
(3)
10
10
2
2
10
10
001aaa378
001aaa376
3
I
3
I
C
C
(mA)
(mA)
10
10
Rev. 01 — 9 June 2004
4
4
Fig 5. Base-emitter voltage as a function of collector
Fig 7. Collector-emitter saturation voltage as a
V
(1) T
(2) T
(3) T
(1) I
(2) I
V
CEsat
(V)
(V)
10
10
BE
1.2
0.8
0.4
0
1
1
2
10
V
current; typical values.
10
T
function of collector current; typical values.
C
C
amb
amb
amb
amb
CE
/I
/I
100 V, 1 A PNP low V
B
B
1
1
= 10 V.
= 50.
= 20.
= 55 C.
= 25 C.
= 100 C.
= 25 C.
1
1
10
10
© Koninklijke Philips Electronics N.V. 2004. All rights reserved.
(1)
(2)
(3)
(1)
(2)
PBSS9110Y
10
10
2
2
CEsat
10
10
(BISS) transistor
001aaa380
001aaa377
3
I
3
I
C
C
(mA)
(mA)
10
10
4
4
7 of 13