VEC2801 Sanyo Semicon Device, VEC2801 Datasheet - Page 3

• Manufacturer Part Number: VEC2801
• Description: P-Channel Silicon MOSFET / Schottky Barrier Diode
• Manufacturer: Sanyo Semicon Device

www.DataSheet.co.kr
Switching Time Test Circuit
[MOSFET]
--4.5V
--3.0
--2.5
--2.0
--1.5
--1.0
--0.5
P.G
160
140
120
100
80
60
40
20
0V
0
0
PW=10μs
D.C.≤1%
0
0
I D = --0.3A
V IN
--0.1
--1
--0.2
--3.0A
Drain-to-Source Voltage, V DS -- V
Gate-to-Source Voltage, V GS -- V
V IN
--1.5A
--2
--0.3
G
50Ω
R DS (on) -- V GS
--3
--0.4
I D -- V DS
V DD = --6V
D
--0.5
--4
S
I D = --1.5A
R L =4Ω
--0.6
VEC2801
--5
V OUT
--0.7
--6
--0.8
[MOSFET]
[MOSFET]
Ta=25 ° C
--7
--0.9
IT08898
IT08943
VEC2801
--1.0
--8
t rr Test Circuit
[SBD]
Duty≤10%
10μs
120
100
--6
--5
--4
--3
--2
--1
80
60
40
20
0
0
--60
0
50Ω
V DS = --6V
--40
--0.2
--20
--5V
--0.4
Gate-to-Source Voltage, V GS -- V
Ambient Temperature, Ta -- °C
100Ω
0
--0.6
R DS (on) -- Ta
20
I D -- V GS
--0.8
40
10Ω
--1.0
60
80
--1.2
100
--1.4
120
[MOSFET]
[MOSFET]
No.9078-3/6
t rr
--1.6
140
IT08899
IT08901
--1.8
160
Datasheet pdf - http://www.DataSheet4U.net/