VEC2801 Sanyo Semicon Device, VEC2801 Datasheet - Page 4

• Manufacturer Part Number: VEC2801
• Description: P-Channel Silicon MOSFET / Schottky Barrier Diode
• Manufacturer: Sanyo Semicon Device

www.DataSheet.co.kr
100
--4.5
--4.0
--3.5
--3.0
--2.5
--2.0
--1.5
--1.0
--0.5
1.0
0.1
1.0
0.9
0.8
0.6
0.4
0.2
10
10
--0.01
--0.1
0
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
5
3
2
7
5
3
2
7
0
0
0
V DS = --6V
V DS = --6V
I D = --3A
2
20
3
2
2
Ambient Temperature, Ta -- ° C
5 7
40
Total Gate Charge, Qg -- nC
3
Drain Current, I D -- A
Drain Current, I D -- A
--0.1
SW Time -- I D
4
60
V GS -- Qg
⏐
P D -- Ta
y
5
2
fs⏐ -- I D
t f
t d (on)
3
80
7
6
5 7
--1.0
100
--1.0
8
120
2
2
V DD = --6V
V GS = --4.5V
[MOSFET]
[MOSFET]
[MOSFET]
[MOSFET]
3
10
140
3
IT03869
IT08903
IT08904
IT08906
5 7
160
--10
12
VEC2801
5
--0.01
--0.01
1000
--1.0
--0.1
--1.0
--0.1
--10
--10
100
--0.01
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
--0.2
7
5
3
2
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
0
Ta=25 ° C
Single pulse
Mounted on a ceramic board (900mm
I D = --3A
2
3
--2
Ciss, Coss, Crss -- V DS
Operation in this
area is limited by R DS (on).
--0.4
Diode Forward Voltage, V SD -- V
Drain-to-Source Voltage, V DS -- V
Drain-to-Source Voltage, V DS -- V
5 7
--0.1
--4
--0.6
I S -- V SD
2
A S O
3
--6
5
7
--0.8
--1.0
2
--8
✕0.8mm) 1unit
2
3
--1.0
[MOSFET]
[MOSFET]
[MOSFET]
†10μs
--10
5
V GS =0V
No.9078-4/6
f=1MHz
7
--10
IT08902
IT03872
IT08905
--1.2
--12
2
Datasheet pdf - http://www.DataSheet4U.net/