VEC2811 Sanyo Semicon Device, VEC2811 Datasheet - Page 3

• Manufacturer Part Number: VEC2811
• Description: P-Channel Silicon MOSFET / Schottky Barrier Diode
• Manufacturer: Sanyo Semicon Device

www.DataSheet.co.kr
Switching Time Test Circuit
[MOSFET]
--10V
P.G
--4.0
--3.5
--3.0
--2.5
--2.0
--1.5
--1.0
--0.5
220
200
180
160
140
120
100
0V
80
60
40
PW=10 s
D.C. 1%
0
0
0
V IN
--0.1
--2
V IN
--0.2
Drain-to-Source Voltage, V DS -- V
Gate-to-Source Voltage, V GS -- V
G
50
--0.3
R DS (on) -- V GS
--4
I D = --1.5A
V DD = --15V
I D -- V DS
--0.4
D
--0.5
S
--6
I D = --1.5A
R L =10
VEC2811
--0.6
V OUT
--8
--0.7
--0.8
[MOSFET]
[MOSFET]
--10
Ta=25 C
--0.9
IT07767
IT07769
VEC2811
--1.0
--12
t rr Test Circuit
[SBD]
Duty 10%
10 s
220
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
--5
--4
--3
--2
--1
50
0
--75
0
V DS = --10V
--50
--0.5
--5V
--25
Gate-to-Source Voltage, V GS -- V
Ambient Temperature, Ta -- C
100
0
--1.0
R DS (on) -- Ta
I D -- V GS
25
10
--1.5
50
75
--2.0
100
125
No.8287-3/6
t rr
[MOSFET]
[MOSFET]
--2.5
150
IT07768
IT09169
--3.0
175
Datasheet pdf - http://www.DataSheet4U.net/