tc7sz34afs TOSHIBA Semiconductor CORPORATION, tc7sz34afs Datasheet
tc7sz34afs
Manufacturer Part Number
tc7sz34afs
Description
Non-inverter Buffer
Manufacturer
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
Datasheet
1.TC7SZ34AFS.pdf
(6 pages)
NON-INVERTER BUFFER
特 長
•
•
•
•
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絶対最大定格
高出力電流
超高速動作
広い動作電圧範囲
入力端子に、5.5V トレラント機能あり
電
入
出
入 力 保 護 ダ イ オ ー ド 電 流
出 力 保 護 ダ イ オ ー ド 電 流
出
電
許
保
(注 1): V
注: 本製品の使用条件 (使用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格/動作範囲以内での使用においても､高負荷 (高温
源
があります。
弊社半導体信頼性ハンドブック (取り扱い上のご注意とお願いおよびディレーティングの考え方と方法) お
よび個別信頼性情報 (信頼性試験レポート､推定故障率等) をご確認の上､適切な信頼性設計をお願いします。
および大電流/高電圧印加､多大な温度変化等) で連続して使用される場合は､信頼性が著しく低下するおそれ
OUT
/
J F
源
力
力
力
容
存
項
G
< GND, V
(Ta = 25°C)
N
: ±24 mA (最小) @V
: t
: V
目
形名
電
電
電
電
損
温
D
pd
CC
OUT
東芝CMOSデジタル集積回路 シリコン モノリシック
= 2.4 ns (標準) @V
= 1.65 ~ 5.5 V
電
> V
CC
圧
圧
圧
流
流
失
度
TC7SZ34AFS
記 号
V
I
V
T
OUT
V
I
I
CC
P
OUT
I
OK
CC
CC
IK
stg
IN
D
= 3 V
CC
IN A
GND
NC
= 5 V, 50 pF
−0.5 ~ V
ピン接続図
1
2
3
±20 (注 1)
−65 ~150
定
−0.5 ~ 6
−0.5 ~ 6
1
−20
±50
±50
50
CC
格
+0.5V
(top view)
単位
mW
mA
mA
mA
mA
°C
V
V
V
質量: 0.001 g (標準)
5 V
4
OUT Y
CC
SON5-P-0.35
TC7SZ34AFS
2009-09-09
(fSV)
Related parts for tc7sz34afs
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R
Part Number:
Description:
Toshiba Semiconductor [TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT]
Manufacturer:
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
Datasheet:
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Toshiba Semiconductor [SILICON N CHANNEL 1GBT]
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TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
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Description:
Toshiba Semiconductor [GTR Module Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications Motor Control Applications]
Manufacturer:
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
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Toshiba Semiconductor [Power Module]
Manufacturer:
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
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TOSHIBA GTR MODULE SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE
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TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
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TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT
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TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
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TOSHIBA Intelligent Power Module Silicon N Channel IGBT
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TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
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TOSHIBA INTELLIGENT POWER MODULE SILICON N CHANNEL LGBT
Manufacturer:
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
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TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT
Manufacturer:
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
Datasheet:
Part Number:
Description:
TOSHIBA GTR MODULE SILICON N−CHANNEL IGBT
Manufacturer:
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
Datasheet:
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Description:
TOSHIBA Intelligent Power Module Silicon N Channel IGBT
Manufacturer:
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
Datasheet:
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Description:
TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT
Manufacturer:
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
Datasheet:
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Description:
TOSHIBA INTELLIGENT POWER MODULE
Manufacturer:
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
Datasheet:
Part Number:
Description:
TOSHIBA Intelligent Power Module Silicon N Channel IGBT
Manufacturer:
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
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Description:
TOSHIBA Intelligent Power Module Silicon N Channel IGBT
Manufacturer:
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
Datasheet:
tc7sz34afs Summary of contents
Page 1
... V 圧 IN −0 +0.5V 圧 OUT CC − ±20 (注 ±50 I 流 OUT ±50 I 流 失 D −65 ~150 T 度 stg 1 TC7SZ34AFS SON5-P-0.35 質量: 0.001 g (標準 OUT Y 単位 °C 2009-09-09 (fSV) ...
Page 2
... 記 号 定 1.65 ~ 5.5 V 圧 CC 1.5 ~ 5.5 圧 5.5 IN 圧 Vcc OUT − 度 T opr = 1.80 V±0.15V, 2.5 V ± 0 3.3 V ± 0.3 V) dt/ 5.0 V ± 0 TC7SZ34AFS 格 単位 V (注 °C ns/V 2009-09-09 ...
Page 3
... GND V 0~5 5.5V or GND V 5 TC7SZ34AFS Ta = 25° −40~85°C 最小 標準 最大 最小 最大 ⎯ ⎯ ⎯ ×0.75 ×0. ⎯ ⎯ ⎯ ×0.7 × ...
Page 4
... V (V) CC 1.8 ± 0.15 2.5 ± MΩ 3.3 ± 0.3 5.0 ± 0.5 3.3± 500 Ω 5.0 ± 0.5 ⎯ 5.5 3.3 (注 ･ TC7SZ34AFS Ta = 25° −40~85°C 最小 標準 最大 最小 最大 1.1 5.3 9.6 1.1 9.8 1.0 3.2 5.3 1.0 5.7 0.8 2.4 3.7 0.8 4.0 0.5 1.9 2.9 0.5 3.2 1.0 3.0 4.6 1.0 4.9 ...
Page 5
... SON5-P-0.35 質量: 0.001 g (標準) 5 TC7SZ34AFS Unit: mm 2009-09-09 ...
Page 6
... TC7SZ34AFS 2009-09-09 ...