2sc5626 ISAHAYA ELECTRONICS CORPORRATION, 2sc5626 Datasheet - Page 2

• Manufacturer Part Number: 2sc5626
• Description: Transistor Npn Smd Type
• Manufacturer: ISAHAYA ELECTRONICS CORPORRATION

10000
1000
10000
100
1000
100
0.1
100
10
base to collector voltage V
10
10
1
1
0.1
0.1
0
D C f o r w a r d c u r r e n t g a i n
V
Ta=25℃
直流電流増幅率－コレクタ電流特性
emitter current I
V S . c o l l e c t o r c u r r e n t
CE
V
Ta=25℃
Ta=25℃
VCE=10V
G a i n b a n d w i d t h p r o d u c t
C o m m o n e m i t t e r o u t p u t
0.2
利得帯域幅積－エミッタ電流特性
CE
V S . E m i t t e r c u r r e n t
=5V
collector current I
=6V
ベース・エミッタ間電圧 V
0.4
エミッタ接地伝達特性
エミッタ電流 I
110
コレクタ電流 I
0.6
1
0.8
100
E
ISAHAYA ELECTRONICS
(mA)
E
(mA)
1
C
(mA)
BE
C
10100
(mA)
1.2
(V)
BE
1000
(V)
1.4
1.6
Silicon NPN Epitaxial Type (Super Mini type)
For High Frequency Amplify Application
100.0
0.01
10.0
0.1
2 0
1 8
1 6
1 4
1 2
1 0
10
8
6
4
2
0
1.0
0.1
1
CORPORATION
0.11
0
0.11.010.0
c o l l e c t o r o u t p u t / i n p u t c a p a c i t a n c e
V S . C o l l e c t o r t o B a s e V o l t a g e
collector to emitter voltage V
Ta=25℃
IC/IB=10/1
1 8 0 μ A
2
f=1MHz
IE=0A
IC=0A
Ta=25℃
collector current I
c o l l e c t o r t o e m i t t e r v o l t a g e
C o m m o n e m i t t e r t r a n s f e r
V S . c o l l e c t o r c u r r e n t
collector to base voltage V
コレクタ・エミッタ間 電 圧
4
emitter to base voltage V
入出力容量－ベース電圧特性
コレクタ・エミッタ飽和電圧
6
コレクタ・ベース電圧 V
エミッタ・ベース電圧 V
10
コレクタ電流 I
100.0
－コレクタ電流特性
8
エミッタ接地出力特性
Cib
1 6 0 μ A
Cob
1 0
1 4 0 μ A
1 2
C
C
1 2 0 μ A
(mA)
(mA)
100
2SC5626
1 4
C B
E B
〈Transistor〉
V
C E
CB
EB
(V)
(V)
1 0 0 μ A
( V )
(V)
(V)
1 6
4 0 μ A
8 0 μ A
T a = 2 5 ℃
CE
I B = 0 μ A
1 8
(V)
6 0 μ A
2 0 μ A
2 0